ТУЗОВСКАЯ ЛЮДМИЛА ВЛАДИМИРОВНА

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения слоев Si или Ge, легированных летучей примесью Цель изобретения - получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления Способ включает формирование между двумя пластинами Si или Ge зоны раствора-расплава толщиной периферийной области мкм и последующее...