ЛОЗОВСКИЙ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ

  СПОСОБ ПАЙКИ ИЗДЕЛИЯ преимущественно из полупроводниковых материалов, по которому в паяемом зазоре размещают припой, производят нагрев BbDje температуры плавления припоя и выдержку соединения в неоднородном температурно 1 поле с вйведением компонентов припоя из соединения методом зонной перекристаллизации градиентом температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения качества с...

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев кремния зонной перекристаллизацией в поле температурного градиента. Цель изобретения - повышение структурного совершенства слоев. Способ включает формирование композиции из кремниевых пластин источника и подложки, нагрев композиции, введение в зазор между пл...

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения слоев Si или Ge, легированных летучей примесью Цель изобретения - получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления Способ включает формирование между двумя пластинами Si или Ge зоны раствора-расплава толщиной периферийной области мкм и последующее...

  Использование: невыступающая антенна для приема несинусоидальных волн предназначена для приема импульсных электромагнитных полей и для контроля переходных процессов антенн. Сущность: невыступающая антенна для приема несинусоидальных волн содержит диэлектрическую подложкуччйа одной стороне которой расположен металлический экран 2, а на другой - концентрически расположенные полоско...