C30B19/06 - реакционные камеры; лодочки для поддерживания расплава; держатели подложек

Кассета для жидкостной эпитаксии полупроводников

Кассета для жидкостной эпитаксии полупроводников, выполненная в виде этажерки с установленными горизонтально и параллельно друг другу подложками, разделенными прокладками, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности и улучшения условий заливки и удаления раствора-расплава из зазора между подложками, кассета выполнена в виде каркаса с горизонтальным сечением в форме правиль...

774293

Устройство для электрожидкостной эпитаксии

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКГРО- ЖИДКОСТНОЙ ЭПИТАКСИИ, включающее графитовый тигель для раствора-расплава, графитовый подложкодержатель и изолирующий слой из нитрида бора, отличающееся' тем, что, с целью улучшения однородности электрофизических свойств выращиваемых слоев, изолирующий слой вьшолнен в виде покрытия на внутренней поверхности стенки тигля и на внеп^ней поверхности стенки подло...

807691

Устройство для жидкостной эпитаксии многослойных структур

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОСТНОЙ ЭПЙТАКСЙИ МНОГОСЛОЙНЫХ СТРУКТУР, включающее ifcopnyc прямоугольной формы с крыппсой, контейнер с емкостями для растворов-расплавов,- снабженными поршнями с.толкателем, установленнуюпод ним пластину с отверстием для заливки раствора-расплава на подложки и емкость для отработанных растворов—расплавов, отличающееся тем, что, с целью повьшения однородности ра...

807693

Устройство для жидкостной эпитаксии

Устройство для жидкостной эпитаксии, включающее камеру для расплава и источника его подпитки, подложкодержатель, установленный на вертикальном валу, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью получения толстых слоев с высокой однородностью свойств и увеличения скорости процесса, подложкодержатель выполнен в виде стакана с плоским дном, внутри которого установлена камера с возможностью...

824694

Устройство для получения многослойныхполупроводниковых структур методомжидкостной эпитаксии

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик 852976 (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 16.05.77 (21) 2486967/22-26 с присоединением заявкивЂ” (23) ПриоритетвЂ” (43) Опубликовано 07.08.81. Бюллетень ¹ 29 (45) Дата опубликования описания 29.09.81 (51)М.Кл.з С 30 В 19/06 Гасударственный комитет по делам изобретений и...

852976

Устройство для электрожидкостной эпитаксии

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕК- ОЖИДКОСТНОЙ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИSC V OV S A I , лз 11; КОВЫХ СОЕ/ЩНЕНИЙ, включающее тигель для раствора-расплава, держатель для крепления подложки, установленный с возможностью вертикального перемещения, токоподводы к подложке и тиглю и электрические изоляторы держателя и внутренней поверхности тигля, отлн.чающееся тем, что, с целью повышения однородности с...

869386

Устройство для жидкостной эпитаксии

Устройство для жидкостной эпитаксии полупроводниковых материалов методом сдвига, включающее подвижной контейнер с емкостью для раствора цилиндрической или прямоугольной формы, установленной на подложкодержателе, имеющем ячейку для подложки, отличающееся тем, что, с целью улучшения однородности толщины получаемых слоев, в нижней части емкости выполнен вырез, имеющий в сечении форму сегмент...

938642

Устройство для электрожидкостной эпитаксии

1. УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЭЛЕКТРОЖИДКОСТНОЙ ЭПИТАКСИИ твердых растворов HI-V, включающее основание, установленные на нем подложкодержатель и емкость для раствора-расплава, снабженные токоподводами, о т л и ч а ю 1Д е е с я тем, что, с целью изменения состава.по поверхности слоя, оно снабжено установленным в торце токоподвода подпожкодержателя диэлектрическим вкладышем. 2.Устройство по п....

1059031

Способ селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур и устройство для его осуществления

1. Способ селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающий формирование на поверхности подложки микрорельефа, нагрев и приведение ее в контакт с расплавом и последующую перекристаллизацию в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и улучшения однородности легирования легколетучими примесями, легирующую примесь вводят непосредственно п...

1137784

Устройство для жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур, и может быть использовано при производстве светоизлучающих приборов. Целью изобретения является увеличение производительности устройства. Суть изобретения состоит в том, что держатель выполнен многосекционным для вертикального попарного размещения подло...

1306175

Устройство для жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и обеспечивает получение рельефной структуры эпитаксиальных слоев. Устройство содержит емкости для расплавов, поршневую камеру и соединенную с ней каналхж камеру роста с подложкой. Отличие изобретения СОСТОИТЕ том,что камера роста снабжена дополнительным поршнем. Поршень установлен над подложкой и имеет рельефную рабочую...

1638218

Устройство для получения многослойных полупроводниковых структур

Изобретение относится к получению полупроводниковых приборов на основе многослойных гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии. Исключает неконтролируемый сдвиг пластины и повышает за счет этого надежность устройства. Устройство содержит корпус с размещенной в нем подложкой. В корпусе выполнено углубление для фиксатора. Над подложкой размещены контейнер с емкостями для расплава...

1638219

Способ получения слоев s @ или g @ , легированных летучей примесью

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения слоев Si или Ge, легированных летучей примесью Цель изобретения - получение слоев с однородным распределением по площади удельного сопротивления Способ включает формирование между двумя пластинами Si или Ge зоны раствора-расплава толщиной периферийной области мкм и последующее...

1640220

Устройство для жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к устройствам для получения полупроводниковых структур, в частности для создания сверхрешеток. Обеспечивает повышение однородности поверхностного состава слоев за счет одновременной подачи расплава по всей поверхности подложки Устройство содержит, емкости для расплавов, соединенные с поршневой камерой. Под емкостями размещен подложкодержатель с подложкой. Ме...

1650798

Устройство для жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Исключает попадание на подложку частиц нерастс.о ренного вещества и окисной пленки и обеспечивает многократное использование устройства. Устройство содержит ампулу с пробкой. В ампуле размещены емкость для расплава и подложка, закрепленная на держателе . Держатель выполнен в виде DO- ронки и прижима. В воронку помещаю...

1707090

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений а @ в @

Использование: твердотельная электроника . Способ включает синтез полупроводникового соединения из исходных элементов в присутствии соли растворителя при их нагреве в двухсекционной запаянной ампуле (А). После синтеза А разгерметизируют , во вторую секцию загружают подложку, снова запаивают А и проводят выращивание эпитаксиального слоя путем поворота А, заливки раствора-расплава...

1798397

Устройство для жидкостной эпитаксии многослойных структур

Изобретение относится к устройствам для жидкофазной эпитаксии многослойных структур, используемых для производства полупроводниковых приборов. С целью упрощения и расширения пределов управления толщиной выращиваемых эпитаксиальных слоев в кассете, состоящей из основания с подложкодержателем, корпуса с контейнером для растворов-расплавов, контейнеры для растворов-расплавов выполнены в вид...

2034938

Устройство для получения монокристаллических оксидных пленок путем жидкофазной эпитаксии

Использование: в оптических устройствах. Сущность изобретения: устройство включает изолирующую центральную трубу со средством внешнего высокочастотного индукционного нагрева, электропроводящий цилиндрический элемент конструкции с отверстиями на обоих концах, расположенных в центральной трубе, а также тигель, изготовленный из электропроводящего материала и коаксиально расположенный в цилин...

2089679

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур. Устройство содержит корпус 1 с крышкой 2, контейнер 3 с емкостями для исходных расплавов, снабженный поршнями 4, многосекционный держатель 14 подложек, камеру роста 5 и каналы для подачи и вывода расплавов. Контейнер 3 с емкостями расположен под многосекционным держ...

2515316

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdхhg(1-х) te из раствора на основе теллура

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe из раствора на основе теллура включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe (0,19<...

2633901

C30B19/06 - реакционные камеры; лодочки для поддерживания расплава; держатели подложек

Патенты в этой категории