Устройство для жидкофазной эпитаксии
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и обеспечивает получение рельефной структуры эпитаксиальных слоев. Устройство содержит емкости для расплавов, поршневую камеру и соединенную с ней каналхж камеру роста с подложкой. Отличие изобретения СОСТОИТЕ том,что камера роста снабжена дополнительным поршнем. Поршень установлен над подложкой и имеет рельефную рабочую поверхность. Для получения пленок с различной рельефной поверхностью в одном технологическом цикле дополнительный поршень имеет участки с различным типом рельефов . При этом диаметр дополнительного поршня равен по крайней мере двум диаметрам подложки. 1 з.п.ф-лы, 2 ил.
СОЮЗ СОВЕТСНИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИН (51) С 30 В 19/06!
Olla CAHHE ИЗОБРЕТЕНИЯ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ
ПРИ ГННТ СССР
Н ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4482491/26 (22) 16. 09. 88 (46) 30.03.91. Бюл. 11,12 (72.) Г.М. Иапкин, В. А.Ложкин и Н. И. Тимин а (53) 621. 315. 592 (088. 8) (56) Авторское свидетельство СССР
У 890772, кл. С 30 В 19/06, 1980. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОФАЗНОЙ 3IlHТАК СИИ (57) Изобретение. относится к полупроводниковому приборостроению и обеспечивает получение рельефной структуры эпитаксиапьных слоев. Устройство соI.
Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению.
Цель изобретения — получение рельефной структуры эпитаксиальных слоев.
На фиг. 1 представлено устройство для жидкофазной эпитаксии, разрез; на фиг. 2 - устройство, дополнительный поршень которого на рабочей поверхности имеет участки с различным типом рельефов, Устройство содержит контейнер 1 с емкостями 2 для исходных раствороврасплавов. Под контейнером 1 в корпусе 3 размещены поршневая камера 4, снабженная поршнем 5, и камера 6 роста, соединенная каналом 7 с поршневой камерой 4. Камера 6 роста снабжена дополнительным поршнем 8, имеющим рельефную рабочую поверхность 9.
Под дополнителы ым поршнем 8 раэмеще„„SU„„1638218 А 1 держит емкости для расплавов, поршневую камеру и соединенную с ней каналом камеру роста с подложкой. Отличие изобретения состоит в том,что камера роста снабжена дополнительным поршнем, Поршень установлен над подложкой и имеет рельефную рабочую поверхность. Для получения пленок с различной рельефной поверхностью в одном технологическом цикле дополнительный поршень имеет участки с различным типом рельефов. При этом диаметр дополнительного, поршня равен по.крайней мере двум диаметрам подложки. 1 э.п.ф-лы, 2 ил.
1 на подложка 10, установленная на подвижной подставке 11.
Устройство работает следунзцим образом.
Подложку 10 размещают на подвижной подставке 11 и устанавливают необходимую величину зазора 12 между подложкой 10 и рабочей поверхностью
9 поршня 8. Величину зазора 12 получают перемещением подвижной подстав- 00 ки 11, в качестве которой .используют, например, винт. 3 атем з агружают емкости 2 исходными растворами-расплавами, Устройство нагревают до температуры гомогенизации расплава и после выдержки охлаждают до температуры начала эпитаксии. При этом поршень 8 нри помощи штока 13 поднимают, заполняют раствором-расплавом камеру 6 роста через канал 7, поршень 8 опускают, На поверхности подложки 10 создают
1638218 слой раствора-расплава переменной толщины в соответствии с рельефной поверхностью 9 поршня 8. Производят наращиваниеие пле нки.
Для получения пленок с различным рельефом и различными электрическими свойствами импользуют поршень 8, имекщий участки с различным типом рельефов (фиг. 2). Например, дополни- 10 тельный поршень 8 имеет два участка, один из которых содержит углубления круглой формы, а второй — квадратной, При этом диаметр дополнительного поршня 8 равен по крайней мере двум диаметрам подложки.
Пленки получают следующим образом.
Поршень 8 поднимают, заполняют камеру 6 роста расплавом с примесью п-типа, поршень 8 опускают до упора и производят наращивание ппенки п-типа с рельефной поверхностью. Затем поршень 8 поднимают, камеру 6 роста
IIpoMblBaIoT расплавом с примесью р-типа.
Для этого из емкости 2 подают раст- 25 вор-расплав р-типа в поршневую камеру
4 и через канал 7 — в камеру 6 роста.
Затем поршень 8 поворачивают вокруг оси так, чтобы над подложкой разместить второй участок рельефной поверхности 9 с квадратными углублениями, Поршень 8 опускают и производят наращивание пленок р-типа. Затем поршень
8 поднимают, расплав удаляют.
Устройство позволяет уменьшить трудоемкость из готовления полупроводниковых приборов и увеличить выход годных.
Формул а из о брет ения
1 ° Устройство для жидкофаз ной эпитаксии, содержащее контейнер с емкостью для раствора-расплава, снабженной поршнем и соединенной каналом с камерой роста, и подложку, установленную на подвижной подставке в камере роста, отличающеесятем,что,с целью получения рельефной структуры эп итак сиальных слоев, к амер а ро ст а снабжена дополнительным поршнем, установленным над подложкой и имекицим рельефную рабочую поверхность.
2. Устройство по и. 1 „о т л и— ч а ю щ е е с я тем, что дополнитель— ный поршень имеет на рабочей поверхности участки с различным типом рельефов и диаметр дополнительного поршня равен по крайней мере двум диаметрам подложки, ! б38216 иг.
Составитель Н.Давыдова
Техред Л.Сердюкова Корректор M.Øàðîøè
Редактор А.Маковская
Заказ 904 Тираж 257 Подписное
ВНИИПИ Государстве. <ного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5.Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101