ТИМИНА НИНА ИВАНОВНА

  Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и обеспечивает получение рельефной структуры эпитаксиальных слоев. Устройство содержит емкости для расплавов, поршневую камеру и соединенную с ней каналхж камеру роста с подложкой. Отличие изобретения СОСТОИТЕ том,что камера роста снабжена дополнительным поршнем. Поршень установлен над подложкой и имеет рельефную рабочую...