Способ селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур и устройство для его осуществления

Способ селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур и устройство для его осуществления

Реферат

 

1. Способ селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающий формирование на поверхности подложки микрорельефа, нагрев и приведение ее в контакт с расплавом и последующую перекристаллизацию в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и улучшения однородности легирования легколетучими примесями, легирующую примесь вводят непосредственно перед контактом подложки с расплавом путем конденсации ее паров из источника, температура которого выше температуры подложки.

2. Устройство для селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающее контейнер, имеющий емкость для расплава с отверстием в дне, емкость для источника легколетучей примеси и канал между ними для подачи паров этой примеси, установленный под контейнером, подвижный подложкодержатель с ячейками для подложек и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью улучшения однородности легирования легколетучими примесями, отверстие в емкости для расплава выполнено в виде щели, а канал между емкостями выполнен вертикальным и имеет внизу сопло для подачи паров на поверхность подложкодержателя по направлению к щели.