Майстренко В.Г.

 1. Способ селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающий формирование на поверхности подложки микрорельефа, нагрев и приведение ее в контакт с расплавом и последующую перекристаллизацию в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и улучшения однородности легирования легколетучими примесями, легирующую примесь вводят непосредственно п...

 1. Способ изготовления локальных металлических зон для зонной перекристаллизации в поле температурного градиента, включающий нанесение на поверхность кремниевой подложки защитного слоя, вскрытие в нем окон, приведение подложки в контакт с жидким металлом - растворителем и удаление жидкой фазы с поверхности защитного слоя, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и улучшения качест...

 Способ изготовления алюминиевого контакта большой площади на кремниевой пластине, включающий подготовку поверхности пластины шлифовкой, нанесение слоя алюминия на пластину, нагрев и охлаждение пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контакта за счет улучшения адгезии алюминия к пластине, снижения переходного сопротивления и снижения разброса по толщине, кремниевую плас...

 Устройство для зонной плавки с градиентом температуры, включающее корпус, систему параллельных ИК-ламп накаливания и кассету с полупроводниковыми подложками, установленную с возможностью возвратно-поступательного движения относительно ИК-ламп и соединенную с приводом, отличающееся тем, что, с целью повышения качества устройства за счет повышения однородности температуры в плоскости подлож...

  Изобретение относится к технологии полупроводниковых структур, а именно к технологии формирования металлических зон для зонной перекристаллизации градиентом температуры, и может найти применение в технологии изготовления фотопреобразователей. Целью изобретения является упрощение технологии изготовления и повышение качества зон. Поверхность кремниевой подложки маскируют слоем двуокиси кре...

  Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых фотопреобразователей и решает техническую задачу, состоящую в получении планарного p-n-перехода, контактной сетки и выводе ее на тыльную сторону фотопреобразователя в едином термическом цикле. Цель изобретения - повышение качества фотопреобразователя при упрощении технологии. Формируют p-n-переход из слоя стекла, содержаще...

  Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых фотопреобразователей, прозрачных в ИК-области, и решает техническую задачу создания надежной двусторонней контактной сетки. Цель изобретения - повышение качества фотопреобразователя при упрощении технологии изготовления. P-n-переход формируют из слоя стекла, содержащего примесь легирующего элемента, который наносится на подложку...