Лозовский В.Н.

  Яо 115744 Класс 48Ь, 8. СССР с @jj БП ь- II.";) 1 }с, !й ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Д. Н. Гаркунов и В. H. Лозовский СПОСОБ ПРИДАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ МЕТАЛЛОВ ТРУЩИХСЯ ПАР ПРОТИВОЗАДИРОЧНЫХ СВОЙСТВ Заявлено 23 апреля 1958 г. за No 597980 в 1(омитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Предмет изобретения Комитет по делам изобретений и...

 Способ получения структур на основе кремния методом зонной перекристаллизации градиентом температуры, включающий изготовление линейных углублений на поверхности подложки, заполнение их металлом-растворителем и перемещение линейных жидких зон сквозь подложку под действием градиента температуры, направленного перпендикулярно поверхности подложки, отличающийся тем, что, с целью улучшения эле...

 1. Способ селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур, включающий формирование на поверхности подложки микрорельефа, нагрев и приведение ее в контакт с расплавом и последующую перекристаллизацию в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и улучшения однородности легирования легколетучими примесями, легирующую примесь вводят непосредственно п...

 1. Способ изготовления локальных металлических зон для зонной перекристаллизации в поле температурного градиента, включающий нанесение на поверхность кремниевой подложки защитного слоя, вскрытие в нем окон, приведение подложки в контакт с жидким металлом - растворителем и удаление жидкой фазы с поверхности защитного слоя, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и улучшения качест...

 Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве как отдельных полупроводниковых приборов, так и монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений А3 В5. Целью изобретения является улучшение выходных параметров и повышение процента выхода годных приборов путем исключения двухуровневой разводки. Это достигается тем,...

 Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для создания оптоэлектронных приборов, работающих в спектральном диапазоне 0,59-0,87 мкм. Изобретение обеспечивает повышение качества гетерограницы, расширение спектрального диапазона материала от 0,59 до 0,87 мкм и получение однородного по составу эпитаксиального слоя. Способ включает осаж...

 Использование: изобретение относится к полупроводниковой технологии и может найти применение при изготовлении интегральных схем и полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: способ включает перекристаллизацию в нестационарных тепловых полях двух - пяти градиентных нагревателей путем последовательного перемещения пластин кремния от одного нагревателя к другому без их выключения, прич...

 Устройство относится к области неразрушающего контроля труб магистрального транспорта, но может быть использовано для выявления дефектов и на других изделиях. Магнитная система устройства выполнена в виде двух П-образных контуров, располагаемых один внутри другого. При контроле магнитные контуры замыкаются стенкой контролируемой трубы. Датчики магнитного поля расположены в межполюсном про...