КОЛКЕР БОРИС ИОСИФОВИЧ

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Саауюяистических Республик ) Vd ( где М3 — напряжение на конце шйны 8 на границе с областью 11, Vg — напряжение на противоположном конце шины 8. В результате в полупроводниковой подложке под электродом образуется потенциальная яма, причем глубина ее в месте приложения Vg, меньше, чем в месте приложения Ч . Если входной р-и переход заз...

  ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Сециалистичесиии Республик р>949488 (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 10. 06.80 (21) 2939098/18-28 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет— Опубликовано 070882. Бюллетень ¹29 Дата опубликования описания 100882 (51) М. Кп. 601 Я 29/00 Государственный комитет СССР оо делам изобретений...

  Использование: изобретение применяют в оперативных и постоянных запоминающих устройствах, например БИС, СБИС, в которых обеспечивают надежность работы за счет исключения пробоя подзатворного диэлектрика. Сущность изобретения: расположенный между двумя управляющими электродами полевого транзистора маскирующий слой имеет толщину не более 20 нм, и расположен над областью канала, пер...