КРУЖАНОВ Ю.В.

  ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, содержащая полупроводнировую подложку первого типа про_водимости, в которой образованы участки противоположного типа проводимости, расположенные на границе с эпитаксиальным;слоем того же,что и подложка, типа проводимости и совмещенные с ^локальными областями того жетипа проводимости, глубина которых равна толщине эпитаксиального слоя,, образуя...

  МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАМЦЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные шины, на поверхности полупроводниковой подложки расположен первый диэлектрический слой с отверстиями , на котором перпендикулярно циффузионным шинам расположены металлические шины, на поверхности металлических шин и первого диэлектриче...

  ВХОДНОЙ КАСКАД ТРАНЗИСТОРНОТРАНЗИСТОРНОЙ ЛОГИЧЕСКОЙ СХЕМЫ, выполненный на многоэмиттерных транзис-, торах с высоким инверсным коэффициентом усиления по току, в котором база первого, транзистора подключена через резистор к шине источника питания, эмиттеры - к шинам входного логичес-tкого сигнала, а коллектор - к базе второго транзистора, подключенного коллектором к шине источника...