Рябоштан В.В.

 1. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света н...