Излучательный элемент с полевым управлением (и его вариант)

Излучательный элемент с полевым управлением (и его вариант)

Реферат

 

1. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света наружу со стороны, противоположной подложке, упомянутая дополнительная полупроводниковая область выполнена в виде слаболегированного слоя противоположного с эмиттерным слоем типа проводимости с гетеропереходом внутри слоя, причем внешняя часть указанного слоя - более широкозонная, чем прилегающая к эмиттерному слою, и в указанном слое выполнены две сильнолегированные области противоположного с ним типа проводимости, одна из которых сформирована от поверхности этого слоя в глубину толщиной, менее толщины указанного слоя, и на ней расположен один из упомянутых токовых электродов элемента, а вторая область сформирована от поверхности дополнительного слоя на всю его толщину до эмиттерного слоя, при этом между указанными областями на поверхности дополнительного слоя сформирована упомянутая МДП-структура.

2. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света наружу со стороны, противоположной подложке, упомянутая дополнительная полупроводниковая область выполнена в виде слаболегированного слоя одинакового с эмиттерным слоем структуры типа проводимости с шириной запрещенной зоны, большей, чем в активной области излучательной структуры, и в указанном слое выполнены две сильнолегированные области, одна из которых, имеющая тип проводимости, противоположный типу проводимости указанного слоя сформирована от поверхности этого слоя в глубину толщиной, менее толщины указанного слоя, и на ней расположен один из упомянутых электродов элемента, а вторая область, имеющая тип проводимости, одинаковый с указанным слоем, сформирована от поверхности этого слоя на всю его толщину до эмиттерного слоя, при этом между указанными областями на поверхности дополнительного слоя сформирована упомянутая МДП-структура.