Емельянов А.В.

  Жласс 24 g, 4 о . /, . ". ПЯТ :НТ НЯ ИЗОБРЙТЙНИ :" ОПИСАНИЕ устройства брандспойта для обдувки дымогарных труб. К патенту А. В. Емельянова, заявленному 24 ноября 1927 года (заяв. свид. J5 21173). 0 выдаче патента опубликовано 31 мая 1929 года. Действие патента распространяется на 15 лет от 31 мая )929 года. Предмет патента. Тнн. «Печатный Трудь, В предлагаемом устройстве бра...

  i, ¹ 9831, "1,. ", j. ПЙТЙНТ tiA N306PDTEHNE Класс 24g, 4 — 0(ОПИСАНИЕ устройства брандспойта для обдувки дымогарных труб со стороны топки. K патенту 4. В. Емельянова, заявленному 24 ноября 1927 года (заяв. свид. М 21173). О выдаче патента опубликовано 31 мая 1929. года. Действие патента распространяется на 15 лет от 31 мая 1929 года. Предмет патента. устройство брандспой...

 1. Гетероструктура с p-n-переходом, в которой суперинжекция и излучательная рекомбинация носителей осуществляются в узкозонном слое, отличающаяся тем, что, с целью повышения эффективности гетероструктуры и стабилизации ее излучательных параметров, область излучательной рекомбинации отделена от области объемного заряда p-n-перехода слоем с переменной шириной запрещенной зоны такой толщины,...

 1. Светодиод со сплошным электро- и теплоотводящим контактом со стороны, противоположной световыводящей поверхности, на основе p-n-гетероструктуры с изменяющейся шириной запрещенной зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности, между сплошным контактом и p-n-переходом он содержит слой полупроводника с градиентом концентрации примеси у контакта, препятствующим растеканию не...

 Элемент интегральной оптики, волноводные области которого ограничены с двух противоположных сторон слоями структуры, а с двух других сторон - областями с меньшим показателем преломления, отличающийся тем, что, с целью улучшения волноводных свойств элемента при одновременном создании его сложной конфигурации на глубине до 50 мкм, области с меньшим показателем преломления выполнены из собст...

 1. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света н...

 1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой - подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектри...

 Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве как отдельных полупроводниковых приборов, так и монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений А3 В5. Целью изобретения является улучшение выходных параметров и повышение процента выхода годных приборов путем исключения двухуровневой разводки. Это достигается тем,...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при формировании СБИС ЗУ на арсениде галлия. Цель изобретения - повышение выхода годных путем увеличения точности задания пороговых напряжений транзисторов посредством влияния на степень нестехиометрии поверхностного слоя aрсенида галлия. Осуществляют формирование канавок для подзатворных областей нормально за...

 Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности МДП - транзисторов на подложке арсенида галлия. Целью является повышение крутизны транзисторов. Цель достигается тем, что на подложку арсенида галлия, содержащую области стока и истока, осаждают диэлектрик методом пиролиза. В качестве газовой смеси используют диэт...

 Изобретение может быть использовано в системах связи, в запоминающих системах в качестве ключевого или усилительного элемента. Цель изобретения - уменьшение рассеиваемой мощности и уменьшение разброса параметров инверторов по площади кристалла. Инвертор состоит из полуизолирующей подложки 1 арсенида галлия, первого нелегированного слоя 2 арсенида галлия, толщиной 2000 , с фоновой концентр...

  Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к постоянным запоминающим устройствам. Целью изобретения - повышение информационной емкости и повышение надежности записи информации в постоянном запоминающем устройстве. Поставленная цель достигается за счет того, что поверхность кристаллической подложки, образующая накопитель запоминающего устройства, состоит из первой и второй групп с...

 Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к постоянным запоминающим устройствам, в накопителе которых в качестве логических ячеек используют ячейки упорядоченных поверхностных структур. Целью изобретения является повышение надежности накопителя. Накопитель содержит графитовую подложку 1, верхний приповерхностный слой 2 которой интеркалирован щелочными металлами (K, Pb, Cs), по...

  Изобретение относится к запоминающим устройствам, запись и считывание информации в которых осуществляется с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа. Целью изобретения является повышение надежности накопителя. Это достигается тем, что в качестве накопителя для ПЗУ используют атомно-гладкую подложку, например, из монокристаллического графита, покрытую гексаметилдисилазана. Запись...

 Использование: в медицине, а именно в гипотермических средствах, применяемых для оказания скорой медицинской помощи. Сущность: полевой медицинский криопанет с дозируемым гипотермическим эффектом, включающий герметичный полимерный пакет, в полости которого размещены несколько термоактивных химических веществ, расфасованных на упаковки, часть которых имеет герметичную оболочку, а остальные...

 Использование: технология получения наноструктур на основе соединений A2B6, предназначенных, в частности, для изготовления фоточувствительных наноэлектронных устройств. Сущность изобретения: в способе получения наноструктур на основе соединений A26, включающем внедрение в пористую диэлектрическую подложку частиц нанометрового размера указанного соединения, сначала производят очистку до ат...

 Использование: в бурении скважин и предназначено для разобщения пластов в процессе их строительства. Обеспечивает повышение надежности разобщения пластов в скважинах. Сущность изобретения: устройство содержит корпус с центральным и впускным каналами. Впускной канал перекрыт клапаном. Устройство имеет уплотнительный элемент и установленную на корпусе оболочку. Она образует с его наружной с...

 Способ изготовления изделий из дерева с инкрустацией для повышения качества изделий заключается в том, что основу изделия используют в качестве формы, а свободное пространство заполняют кусочками янтаря с последующей заливкой полимерными смолами. 1 з.п.ф-лы. Изобретение относится к области декоративного и прикладного искусства, в частности, к способам изготовления изделий из дерева с инкр...

 Препарат может быть использован в медицине для лечения ран и ожогов кожи. Препарат состоит из водного раствора, содержащего: основной ацетат меди 0,003 - 0,006 мас. %, ацетат натрия 0,014 - 0,023 мас.%, уксусную кислоту 0,003 - 0,006 мас.% и воду. Препарат может дополнительно содержать диметилсульфоксид в количестве от 0,08 до 0,75 мас.%. Препарат ускоряет заживление ран и ожогов и расшир...

 Изобретение предназначено для получения горячей воды для бытовых нужд и может быть использовано в водонагревательной технике. Комплект водонагревателя бытового содержит герметичную емкость, заполненную водой, выполненную по длине и ширине на две конфорки тепловой плиты, и включает подачу холодной воды из водопроводной сети и подачу нагреваемой воды потребителям. Высота емкости позволяет р...

 Изобретение относится к области медицины, а именно к растворам для криопрезервации кожи и роговицы. Изобретение может быть использовано при создании запасов жизнеспособных кожных трансплантатов в дермопластике и офтальмологии. Раствор для криопрезервации кожи и роговицы включает криопротектор, среду 199 на базе раствора Хэнкса и стимулятор деления клеток. В качестве криопротектора раствор...

 Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, а именно к устройствам для измерения геометрических параметров нагретых деталей, и может быть использовано в металлургии при производстве проката и в машиностроении при изготовлении крупногабаритных деталей. Цифровой оптико-электронный преобразователь размера содержит объектив, в плоскости изображения которого установлен модулятор...

 Изобретение относится к производству труб и может быть использовано для герметизации резьбовых соединений любых труб, в том числе используемых при строительстве нефтяных, газовых и газоконденсатных скважин, а также при формировании трубных колонн и трубопроводов. Способ герметизации резьбовых соединений труб включает заполнение межрезьбового пространства герметизирующим материалом. В каче...