H01L33 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)

Электролюминесцентный преобразователь изображения

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ СОюз СОВетских Социалистически» Республик Кл. 21g, 29.ц Зависимое от авт. свидетельства ¹ Заявлено 27Х,1963 (№ 838447/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 26Х1964, Бюллетень № 20 Дата опубликования описания 12.XI.1964 МПК H 01) Государственный комитет по ДВЛВм изобретениЦ и открьпий ССР ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗОБРАЖ...

165845

Электролюминесцентный экран с электродами гребенчатой структуры

ОПИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик Заг,: симос от авт. свидетельства ¹ Кг(. 21а(, 34iol Заявлено 27. I I I.1959 (№ 701911(26-9) с нрисосдннением заявки № 41ПК Н 04п УДК 621.397.331.2 (088.8) Приоритет Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано 09.VI.1966. Б(олг(етень № 12 Дата опубликования описания 1.VIII.1966...

182763

Патент ссср 192959

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соеетских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Кл. 21 11/02 Заявлено 01.Х!1.1965 (¹ 1040771/26-25) с присоединением заявки ¹ ЧПК Н 01l Приоритет Опубликовано 02.111.1967. Бюллетень № 6 Комитет оо делом лзобретеиий и открытий ори Сосете Мииистрое СССР УД 1(621.314,63/64 (088.8) Дата опубликования опис...

192959

Многослойный преобразователь излучения

200007 Составитель A. A. Маидругияа Редактор A. И. Шиллер Текред T. П. Курилко 1(орректоры: A. А. Король и И. Л. Кириллова Заказ 298k, 3 Тираж 535 Подиисиое 11НИИП11 1(ок|птста Ifo де. аа1 изооретеипй и открытий при Совете Иииистров СССР т1осква, 11,еитр, пр. Ссрова, д. ! Типография. пр. Сапунова, 2 ны нагрузочный и электролюминесцентный слои с прозрачным электродом, а с прот...

200007

Устройство для возбуждения свечения электролюминесцентного индикатора

203092 О П И С А Н И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ И АВТОР СКОМУ СВИДЕТЕЛЬ СТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Кл. 21g 29/40 Заявлено 10Х111.1966 (№ 1096691/26-9) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 28.IX.1967. Бюллетень № 20 Дата опубликования описания 15.XII.1967 MHK Н Oll УДК 621.383.8(088.8) Комитет по делам изобретений и отк...

203092

Оптический индикатор

О П РГ С А Н И Е 258458 ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 26.Ч.1967 (№ 1160785/26-25) с присоединением заявки Л Приоритет Кл. 21@, 11/02 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистрое СССР МПК Н Oll УДК 621.314.63/64 (088.8) Опубликовано ОЗ.Х11.1969. Бюллетснь ¹ 1 за 1970...

258458

Оптический индикатор

302053 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик За висимое от авт. свидетельства № Заявлено О8.Ч.1969 (¹ 1333273 26-25) МПК Н 011 17!00 с присоединением заявки № Приоритет Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано OI.Õ.1971. Бюллетень ¹ 29 Дата опубликования описания З.XII.1971 УДК 621.31...

302053

Полупроводниковый источник света

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (») 316378 Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 24.07.67. (21) 1174224/26-25 с присоединением заявки №вЂ” (23) ПриоритетвЂ” (43) Опубликовано 05 08 76 Бюллетень № 29 (45) Дата опубликования описания 03.12.76 (51) М. Кл. -Н 011. 33/00 Государственный комитет Совета Мин...

316378

Патент ссср 327884

Союз Советских Социалистических Реотубттик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕавЬСТВУ (11) 327884 (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено ?0,04.б9(21)?320934/26-25 (51) M. Кл, Н 0 тв 33/?б Н QI 6 Х9/00 с присоединением заявки Государственный нюинтет Совета Инмнстрва СССР ао делан неебретеннй н аткрытнй (32) Г!риоритет (?пуоликовано25,I074 1моллетеш, № 39...

327884

Злектролюминесцентный преобразователь изображения

О П И Й" А" Н И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 374683 Союз Советскик Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства №вЂ” М. Кл. Н .Oll 17/00 Заявлено 22.!!!.1971 (№ 1638166/26-25) с присоединением заявки ¹â€” 11риоритетвЂ” Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Ъ ДК 621.383.939(088 8) Опубликовано 20.111.1973. Бюллетень ¹ 15...

374683

Патент ссср 401298

1 и г Союз Советских Социалистических Республик ОП ИСАИ ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДИТВДЬСТВУ ) 401298 (61) Зависимое от авт. свид-ва(22) Заявлено 05.02.71 (21) 1627783/26 25 (51) М. Кл. Н 05те 33/16 с присоединением заявки №» Государственный иамитет Совета теиниетрев СССР ое делам изобретений и открытий (23) Приоритет (53) УДК621,383 (088.8). .. (43} Опубликовано 74Б...

401298

Полупроводниковый источник света

ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик () i 434950 (6!) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 16.03.73 (21) 1890101/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.08.77.Бюллетень М 29 (51) М. Кл. Н 051. 33/00 Государственный комитет Совета Министров Ссср оо делим изобретений и отнрьтий (53) УДК...

414950

Эпитаксиальная структура

1 11Г.ИRele М ..А ОП ИКАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советсиик Социалистических Республик 581755 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) 3asaneHo 160675 (21) 2144766/18-25 (51)М. g>.з с присоединением заявки М 2152074/18-25 Н 01 L 33/00 Государствеииый комитет СССР ll0 делам изобретеиий и открытий (23)Приоритет 04.07.75 по п.3 Опубликовано 230381. Бюллетен...

581755

Светодиод

1. Светодиод со сплошным электро- и теплоотводящим контактом со стороны, противоположной световыводящей поверхности, на основе p-n-гетероструктуры с изменяющейся шириной запрещенной зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности, между сплошным контактом и p-n-переходом он содержит слой полупроводника с градиентом концентрации примеси у контакта, препятствующим растеканию не...

644301

Способ изготовления электролюминесцентного индикатора

Способ изготовления электролюминесцентного индикатора, включающий выращивание p-n-структуры, разрезание ее на полосы, укладку полос с заполнением промежутков диэлектриком и разрезание полученного монолита на пластины, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, повышения КПД и рассеиваемой мощности, при укладке полосы соединяют с металлической фольгой, после чего фол...

701431

Твердотельный экран

Твердотельный экран на основе выполненных в полупроводниковых брусках электролюминесцентных p-n-переходов с контактами, связанных между собой в строчки и столбцы металлическими шинами, отличающийся тем, что, с целью увеличения КОД при одновременном повышении контрастности, бруски расположены друг к другу однотипными областями и между ними расположена металлическая пластина, соединяющая од...

730223

Светоизлучающий прибор

Союз Советскик Социалистических Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) ДополниТельное к авт. саид-ву (22) Заявлено 01. 04. 77 (2}) 2468614/26-25 (5 l)M. KJI. Н 01 L 33/00 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий Опубликовано 23.10.80, Бюллетень то 39 Дата опубликования описания 25.1080 ($Q...

773795

Излучательный элемент с полевым управлением (и его вариант)

1. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света н...

820559

Светодиод

СВЕТОДИОД, содержащий слой п-типа проводимости, расположенньй на нем слой р-типа проводимости, омические контакты к слоям пи ртипа , о тлич ающийся тем, что, с целью повышения выводимого светового потока при фиксированном токе питания, на одном из слоев расположен , по крайней мере, один дополнительный слой, образующий р-п-переходы со смежными слоями и электрически замкнутый со с...

867249

Источник света

С.А. Абагян, С.А. Бондарь, Д.В. Галч нкой "и А -;Й;Йа гфашиц 3 (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ИСТОЧНИК СВЕТА Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к конструкциям полупроводниковых инжекционных йсточников света. Известны полупроводниковые источники света на основе структур с р-п-переходом, преобразующие электрическую энергию в световую при.излучате...

873311

Светодиод на основе карбида кремния

(19)SU(11)1026614(13)A1(51) МПК 6 H01L33/00, H05B33/18(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения и в частности может быть использовано в оптоэлектронике как быстродействующий эффек...

1026614

Светоизлучающий диод

СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД, содержащий рамочный держатель с выводами и излучающие кристаллы, включенные последовательно, отличающийся тем, что, с целью увеличения его излучающей поверхности при сохранении технологичности сборки, верхние части выводов держателя вьшолнены под прямым углом к его плоскости и расположены по меньшей мере по одну сторону от,нее, а излучающие кристаллы закрепл...

1032953

Излучательная многопроходная гетероструктура

Излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения с энергией кванта, соответствующей ширине запрещенной зоны области излучательной рекомбинации и понижения порога лазерной генерации, между широкозонными слоями распо...

1111645

Суперлюминесцентный диод

СУПЕРЛКМИНЕСЦЕНТНЫЙ ДИОД, включающий полупроводниковую структу: ру с полйсковой активной областью, ; расположенной, под углом к граням структуры, отличающийся тем, что, с целью стабилизации длины волны излучения и увеличения линейности ватт-амперной характеристики в области температур 300-470° К, активная область выполнена с периодически маняющейся шириной, причем период...

1139337

Полупроводниковый дискретно-аналоговый индикатор (его варианты)

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЬЙ ДИСКРЕТНО-АНАЛОГОВЫЙ ИНДИКАТОР (ЕГО ВАРИАНТЫ), содержащий М источников излучения прямоугольной формы с размерами ах в, соединенных одноименными полюсами и имеюощх один общий и М независимых выводов, отличающийся тем, что,с целью снижения утомляемости оператора при одновременном сокращении энергозатрат на индикацию, в него введены 2м прямоугольных источников и...

1144575

Патенты в этой категории