Излучательная многопроходная гетероструктура
Патент 1111645
Авторы
Классы МПК
- H01L33 - Полупроводниковые приборы по меньшей мере с одним потенциальным барьером или с поверхностным барьером, предназначенные для светового излучения, например инфракрасного; специальные способы или устройства для изготовления или обработки таких приборов или их частей; конструктивные элементы таких приборов (соединение световодов с оптоэлектронными элементами G02B 6/42; полупроводниковые лазеры H01S 5/00; электролюминесцентные источники H05B 33/00)
- H01S3/05 - Лазеры, т.е. устройства для генерирования, усиления, модуляции, демодуляции или преобразования частоты, использующие стимулированное излучение электромагнитных волн с длиной волны большей, чем длина волны в ультрафиолетовом диапазоне (полупроводниковые лазеры H01S 5/00)
Излучательная многопроходная гетероструктура
Реферат
Излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения с энергией кванта, соответствующей ширине запрещенной зоны области излучательной рекомбинации и понижения порога лазерной генерации, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в области излучательной рекомбинации по крайней мере на десятую долю КТ, минимальная толщина которого по крайней мере не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области излучательной рекомбинации, а максимальная по крайней мере не больше диффузионной длины неосновных носителей в этом слое, при этом разница ширин запрещенных зон по крайней мере на одном из гетеропереходов между дополнительным слоем и областью излучательной рекомбинации связана с параметрами области излучательной рекомбинации и дополнительного слоя соотношением
где d0, 0, P0, S0 - соответственно толщина, время жизни неосновных носителей, концентрация основных носителей, скорость рекомбинации на гетеропереходах, относящихся к дополнительному узкозонному слою, d, , P - те же параметры для области излучательной рекомбинации, Lэф - эффективная диффузионная длина неосновных носителей в той части области излучательной рекомбинации, для которой справедливо соотношение /I/.
2. Гетероструктура по п.1, отличающаяся тем, что дополнительный слой выполнен из материала, время жизни неосновных носителей в котором не меньше, чем время жизни неосновных носителей в области излучательной рекомбинации, при этом толщина дополнительного слоя не превышает толщину области излучательной рекомбинации, а энергия активации центров излучательной рекомбинации, образованных легирующей примесью в этой области, не превышает разницу ширин запрещенных зон упомянутой области и дополнительного слоя.
3. Гетероструктура по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что она содержит p-n-переход, расположенный в дополнительном слое, и омические контакты к n-p-слоям.