Инкин В.Н.

 1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой - подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектри...

 Излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения с энергией кванта, соответствующей ширине запрещенной зоны области излучательной рекомбинации и понижения порога лазерной генерации, между широкозонными слоями распо...

 Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве как отдельных полупроводниковых приборов, так и монолитных интегральных схем на основе полупроводниковых соединений А3 В5. Целью изобретения является улучшение выходных параметров и повышение процента выхода годных приборов путем исключения двухуровневой разводки. Это достигается тем,...

 Изобретение относится к оптоэлектронике и может использоваться в системах оптической обработки информации и в ВОЛС. Цель изобретения - уменьшение управляющей мощности, управление диаграммой направленности и повышение граничной частоты модуляции. Лазер содержит подложку, например p+-GaAs, слой p - Ga1-хAlхAs, слой p-GaAs, слой n - Ga1-уAl4As, первый дополнительный полупроводниковый слой пG...

 Излучательная многопроходная гетероструктура, содержащая излучающий слой, к которому с одной стороны примыкает широкозонный слой, а со стороны, противоположной широкозонному слою, - дополнительный узкозонный слой с шириной запрещенной зоны меньше, чем в излучающем слое, минимальная толщина которого - порядка или больше обратной величины коэффициента поглощения излучения, возникающего в из...

 Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в передающих модулях . Цель изобретения - обеспечение работы лазера в непрерывном режиме путем улучшения теплоотвода. Лазер содержит подложку n+= СаАs, по одну сторону которой расположены слои, образующие двойную гетероструктуру, и слой СaАs с омическим контактом. По другую сторону подложки размещен слой р-GаАs с контактами...

 Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано в качестве передающего модуля в системах ВОЛС, а также в качестве базовой излучающей ячейки в оптоэлектронных ИС. Изобретение обеспечивает улучшение теплоотвода лазера и повышение степени интеграции схем на этих лазерах. Лазер содержит полуизолирующую подложку 1 арсенида галлия, по одну сторону которой расположены с...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов, работающих на частотах в несколько десятков гигагерц. Целью изобретения является повышение воспроизводимости величины зазоров между активными областями. Цель достигается тем, что в качестве подножки берут арсенид галлия, а затвор выполняют из ниобия либо нитрида ниобия. Формируют маск...

 Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности МДП - транзисторов на подложке арсенида галлия. Целью является повышение крутизны транзисторов. Цель достигается тем, что на подложку арсенида галлия, содержащую области стока и истока, осаждают диэлектрик методом пиролиза. В качестве газовой смеси используют диэт...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов. Целью изобретения является повышение однородности сопротивления областей истоков и стоков на границе с подложкой. Формирование защитного покрытия на подложке осуществляют посредством низкотемпературного окисления. Однородность толщины покрытия обеспечивается насыщающим характером врем...

 Изобретение может быть использовано в системах связи, в запоминающих системах в качестве ключевого или усилительного элемента. Цель изобретения - уменьшение рассеиваемой мощности и уменьшение разброса параметров инверторов по площади кристалла. Инвертор состоит из полуизолирующей подложки 1 арсенида галлия, первого нелегированного слоя 2 арсенида галлия, толщиной 2000 , с фоновой концентр...

  Изобретение относится к запоминающим устройствам, запись и считывание информации в которых осуществляется с помощью зонда сканирующего туннельного микроскопа. Целью изобретения является повышение надежности накопителя. Это достигается тем, что в качестве накопителя для ПЗУ используют атомно-гладкую подложку, например, из монокристаллического графита, покрытую гексаметилдисилазана. Запись...

 1. Способ маркировки изделий, заключающийся в нанесении на поверхность изделия слоя фоторезиста и формирование изображения метки в нем, отличающийся тем, что фоторезист наносят на поверхность изделия из золота или другого благородного металла, формируют негативное изображение метки в слое фоторезиста, затем в месте его расположения наносят пленочное покрытие из аморфного алмазоподобного в...

 Сущность изобретения: описываются четыре способа защиты изделий из благородных металлов с помощью наносимой на изделие информационной метки. В период варианте способа на поверхность изделия наносят метку в виде комбинации голографического микрорельефа и макрорельефа. Во втором варианте на изделие наносят метку в виде кодированной голограммы. В третьем и четвертом вариантах способа на микр...

 Сущность изобретения: в первом варианте на поверхности металла получают оттиск метки с помощью матрицы, прессующая поверхность которой выполнена в виде изготовленной из никеля фольги с голографическим микрорельефом. Предварительно изделие нагревают и выдерживают при температуре выше температуры рекристаллизации металла, но ниже температуры плавления, после чего производят тиснение изделия...

 Изобретение относится к исследованию и анализу материалов с помощью электрических средств и предназначено для контроля неоднородности электропроводного изделия по толщине материала, например, при проверки возможной подделки изделия в форме слитка из драгоценного или редкого металла. Способ основан на зондировании скин-слоя материала токами различных частот. Для каждого значения частоты пе...

 Импульсный источник углеродной плазмы предназначен для нанесения углеродного алмазоподобного покрытия на обрабатываемое изделие. Источник содержит расположенные в корпусе вакуумной камеры расходуемый графитовый катод и анод, имеющие общую геометрическую ось, электрически связанные с емкостным накопителем. Расходуемый графитовый катод в плоскости, обращенной к обрабатываемому изделию, имее...

 Плоский люминесцентный экран содержит подложку, матрицу электропроводящих элементов в виде строк и столбцов, размещенную на подложке. Эмиттер выполнен в виде множества микроострий из электропроводящего материала, размещенных на участках пересечения строк и столбцов и имеющих высоту h и диаметр d. На каждом участке пересечения строк и столбцов, являющемся ячейкой изображения, размещено по...

 Устройство содержит расходуемый металлический катод, размещенный в корпусе, служащем анодом, на котором размещен соленоид. Анод соединен с вакуумной камерой, электрически с ней связан и подключен к источнику питания дугового разряда постоянного тока, параллельно которому подключены конденсатор с балластным резистором. С блоком поджига связано средство поджига, содержащее поджигающий элект...

 Способ изготовления проводящей легированной алмазоподобной нанокомпозитной пленки, имеющей в своем составе в качестве основных элементов углерод, кремний, металл, кислород и водород, осуществляется следующим образом. Размещают в вакуумной камере держатель с подложкой, на которую подают напряжение 0,3-5,0 кВ. Создают газоразрядную плазму с энергетической плотностью более 5 кВтч/г-атом угле...