Бекирев У.А.

 1. Гетероструктура с p-n-переходом, в которой суперинжекция и излучательная рекомбинация носителей осуществляются в узкозонном слое, отличающаяся тем, что, с целью повышения эффективности гетероструктуры и стабилизации ее излучательных параметров, область излучательной рекомбинации отделена от области объемного заряда p-n-перехода слоем с переменной шириной запрещенной зоны такой толщины,...

 1. Светодиод со сплошным электро- и теплоотводящим контактом со стороны, противоположной световыводящей поверхности, на основе p-n-гетероструктуры с изменяющейся шириной запрещенной зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности, между сплошным контактом и p-n-переходом он содержит слой полупроводника с градиентом концентрации примеси у контакта, препятствующим растеканию не...

 Элемент интегральной оптики, волноводные области которого ограничены с двух противоположных сторон слоями структуры, а с двух других сторон - областями с меньшим показателем преломления, отличающийся тем, что, с целью улучшения волноводных свойств элемента при одновременном создании его сложной конфигурации на глубине до 50 мкм, области с меньшим показателем преломления выполнены из собст...

 1. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света н...

 Излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения с энергией кванта, соответствующей ширине запрещенной зоны области излучательной рекомбинации и понижения порога лазерной генерации, между широкозонными слоями распо...

 Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации и дополнительный слой, примыкающий к одной из ее сторон, расположенные между широкозонными слоями, причем ширина запрещенной зоны дополнительного слоя меньше ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, минимальная толщина указанного слоя не меньше обратной величины...

 Излучательная полупроводниковая многопроходная гетероструктура, содержащая излучательный узкозонный слой, расположенный между двумя широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью снижения пороговой плотности тока лазерного излучения и увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, мен...

 Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая узкозонную область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью понижения пороговой плотности тока накачки, между упомянутыми широкозонными слоями введены, по крайней мере, два дополнительных слоя с разными ширинами запрещенной зоны, меньшими ширины запрещенно...

 Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими ш...

 Излучательная многопроходная гетероструктура, содержащая излучающий слой, к которому с одной стороны примыкает широкозонный слой, а со стороны, противоположной широкозонному слою, - дополнительный узкозонный слой с шириной запрещенной зоны меньше, чем в излучающем слое, минимальная толщина которого - порядка или больше обратной величины коэффициента поглощения излучения, возникающего в из...

 Использование:оптоэлектронная техника. Сущность изобретения: считыватель штриховых кодов содержит осветительные элементы, оптическую систему, включающую объектив и цилиндрическую линзу, установленную между осветительными элементами и штриховым кодом, многоэлементный линейный фотоприемник и блок обработки видеосигнала. Осветительные элементы размещены в плоскости, проходящей через оптическ...