Источник света

Источник света

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

С.А. Абагян, С.А. Бондарь, Д.В. Галч нкой "и А -;Й;Йа гфашиц

3 (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ИСТОЧНИК СВЕТА

Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к конструкциям полупроводниковых инжекционных йсточников света.

Известны полупроводниковые источники света на основе структур с р-п-переходом, преобразующие электрическую энергию в световую при.излучательной рекомбинации неосновных носителей, инжектнрованных р-и"переходом при пропусканни тока )1).

Известны также источники света на основе полупроводниковой многослойной структуры с широкозонными эмиттерами, образующими гетеропереходы с расположенной между ними активной

3S областью толщиной, не превьвпающей эффективную диффузионную длину неравновесных носителей. В такой структуре р-и"гетеропереход определяет одиосто20 ронний характер инжекции носителей в активную область, а изотипный гете" ропереход ограничивает область рекомбинации носителей. Через любой из ши" рокозонных эмиттеров свет практически без потерь на поглощение выводится из кристалла (23.

Недостатком таких конструкций является невысокая деградационная стойкость при большой плотности рабочего тока и в связи с этим малый срок службы.

Цель изобретения — увеличение де- . градационной стойкости источников света.

Для достижения цели в источнике света на основе полупроводниковой многослойной структуры с широкозоиными эмиттерами, образующими гетеропереходы с расположенной между ними активной областью толщиной, не превйшающей эффективную диффузионную длину неравновесных носителей, широкозонные эмиттеры имеют одинаковый тип проводимости, противоположный типу проводимости активной области, и

"замкнуты между собой.

873311

Формула изобретения

Составитель Г. Корнилова

Редактор Л. Тюрина Техред Ж.Кастелевич Корректор В. Синицкав

Тираж 787 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

ll3035 Москва Ж-35 Раушская наб. д. 4/5

Заказ 9062/79

У Ф 1 У Филиал IBHI "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

В этой конструкции широкозонные эмиттеры образуют р"и-гетеропереходы е активной областью и носители инжек- тируются и активную область каждым иэ эмиттеров. При этом плотность тока через р-й-переход при неизменной общей величине рабочего тока снижается практически вдвое, обеспечивая эф фективное уменьшение деградации источника, а следовательно, и значи- 16 тельное увеличение срока службы.

На чертеже изображен полупроводниковый источник света;

Конкретным примером реализации

,предложенной конструкции является полупроводниковый источник спонтанного излучения на основе и-р-и-гетероструктуры в системе твердых растворов

GaACAs, схематически показанной на чертеже, где широкозонные эмиттеры 20 и"типа проводимости 1 и 2 ограничивают активную область р-типа проводимости 3. Диффузией цинка сформирована пе периметру кристалла р+-область

4, через которую с помощью контакта 5 осуществляется коммутирование актив; ной области. На поверхности и-эмиттерев нанесены крестообразный 6 и кольцеобразный . 7 омические контакты. Эти контакты замыкаются между собой при подключении питания к источ кнкуе

Б сравнении с обычной конструкцией диода площадь р"и-перехода увеличивается в два раза, чем и достигается снижение плотности тока через р-и-переход.

Источники света такой конструкции позволяют значительно уменьшить деградацию оптических характеристик прибора и увеличить их срок службы.

Источник света на основе полупроводниковой многослойной структуры с широкозонными эмиттерами, образующими гетеропереходы с расположенной между ними активной областью толщиной, не превышающей эффективную диффузионную длину неравновесных носителей, отличающийся тем, что, с целью увеличения деградационной стойкости, широкозонные эмиттеры имеют одинаковый тип проводимости, противоположный типу проводимости активной области, и замкнуты между собой.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Берг А.и Дин П. Светодиоды.

И., Мир, 1979, с. 56-184.

2. Алферов Ж.И. и др. Источники спонтанного излучения на основе структур с гетеропереходами в системе АРАБ- аАв. — "Физика и техника полупроводников", т. 3, 1969, вып.6, с. 930.