Патент ссср 327884

Патент ссср 327884

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Реотубттик

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕавЬСТВУ (11) 327884 (61) Зависимое от авт. свидетельства (22) Заявлено ?0,04.б9(21)?320934/26-25 (51) M. Кл, Н 0 тв 33/?б

Н QI 6 Х9/00 с присоединением заявки

Государственный нюинтет

Совета Инмнстрва СССР ао делан неебретеннй н аткрытнй (32) Г!риоритет (?пуоликовано25,I074 1моллетеш, № 39

Дата опуоликования описания 05 ° Х? ° 74 (53) УД1< 62I ° 382. .002 (098.8) В.Л. Бабенко, Г.Г. Боева, B.Е. Виолиы, Ю.А.Водаков, B.Ã. Иванова, T.Ã. Кмита, И.И. Круглов, Г.А.Ломакина, В.П. Новиков,В.И.Павличенко,И.В.Рыжиков и Г.Ф.Холуяыов (7т) Лвто1тГя и:нн11)етения (71) Заявитель (4) иногоэлиянтный полупРОводниковый

ИНДИКАТОР11ЫЙ ПРИБОР

Изобретение относится к полу= проводниковым приборам, излучающ;;и свет в видимой области спектра и предназначенным для использования в качестве индикаторных устройств,которые могут применяться в вычислительной,счетно=решающей и измерительной технике как для визуальной индикации,так и для записи на фотопленку.

1 звестны многоэлементные приборы для знаково" индикации, состоящие из раздельных дискретных р- >< — переходов, размещенных на общей базовой пластине полупроводникового материала с общим омическим контактом к базе.

Однако известные приборы отли«< price тем,что свечение осуществляется по контуру контакта, а не по площади всего перехода,что услокыет визуальное считывание; существен но усложнена техноп огия изгоронлени» структуры есвязанная как с ш:опт. одимостью получать полно2

1стью электрически развязанные дискретные р-Ь вЂ” переходы, так и с са мой ге омет рие И единичй оИ мат рицы ее

5 Цель изобретения - обеспечение свечения и о всей площади единичного перехода с одновременным упрощени ие м те хн ол оги и.

Для этого дискретные омические й1 контакты расположены на общем легированном слое и отделены друг от друга таким образом,что сопротивление легированного слоя между ними вдоль р- <-- перехода превышает

15 по крайнеИ мере в 10 раз сопротивление этого слоя по нормали к переходу.

На чертеже изображен многозлементныИ индикатор на карбиде кремнияе

В пластине 1 карбида кремния, легированной азотом, формируют две области: высокоомную р-область 2 толщиной, например, 0,1-0,3 мкм и

26 ) слаболегйрованную компенсированную

Составитель й1еЛОПЕШКИН

t Kго1 1 »ЛарИНа 1екред Н.СЕНИНа Корректор Я.ЯЕнд44ц

1lодиигиое з.;., gPг

Иаги М И1

Тираж ggQ) tIttHtttIit Государствеииого комитета Совета Мииисгров СССР ио делам изобретений и открытий

Москва, t 13035, Раушская иаб., 4

Предприятие «11атеит», Москва, Г-59, ?>ережковская иаб., 24 область 3 толщиной не более 0,51,2 мкм. Со стороны р-области вышлифовывают ступеньку Ф на глубину порядка 10-15 мкм, затем одновременно напылением через маску (или фотолитографией) получают ряд.дискретных омических контактов 5 к р-области и общий контакт 6 к кобласти, а затем по известной технологии присоединяют вывода.

В данной структуре при создании поверхностного р-слоя, например, диффузией бора сопротивление этого слоя вдоль р- и - перехода в

100 раз больше сопротивления по нормали к переходу.

11редлагаеыый прибор работает при подаче прямого смещения на общий вывод и на нужную комбинацию элементов со стороны общего тонкого легированного слоя. При этом наблюдается свечение заданной комбинации знаков благодаря тому, что свечение имеет место только под дискретным омическим контактом,а отношение сопротивлений вдоль и нормально к р-л- пврвходу обеспечивает отсутствие краевых засввток из-аа растекания тока и соответственно резкий кон5 тур рисунка. ищет изаввятжния

Многоэлементный полупроводниковый индикаторный прибор, состоя«10 щий из кристалла полупроводникового материала, имеющего р-n - переход, общий омический контакт к области одного типа проводимости и ряд дискретных омических контак15 тов к области другого типа проводимости, о т л и ч а ю и(и И с я тем, что, с целью обеспечения свечения по всей площади дискретного единичного р-< - перехода, @ дискретныв омическив контакты расположены на общем легированном слое и отделены друг от друга таким образом, что сопрстивление легированного слоя между ними вдоль

2ь р- — перехода превышает,по крайнеИ мере, в 10 раз сопротивление этого слоя по нопмали.