Кузьминых В.А.

 Устройство для исследования электронной структуры тонкопленочных материалов с помощью аннигиляции позитронов, содержащее радиоактивный источник позитронов, расположенный на подложке, и детекторы аннигиляционных гамма-квантов, отличающееся тем, что, с целью расширения области применения, устройство снабжено подложкой для установки образца, а подложка источника позитронов изготовлена в виде...

 Способ изгиба кристалла, включающий установку кристалла между оправками, поверхность одной из которых покрывают клеящим составом, нагрев кристалла с оправками и снятие оправок после приобретения кристаллом формы, отличающийся тем, что, с целью обеспечения изгиба кристаллов различных толщин с сохранением структуры кристалла, в качестве оправок используют пластины из мартенситных сплавов, о...