Миронов Б.Н.
Изобретатель Миронов Б.Н. является автором следующих патентов:

Нагревательная печь
Нлалоно .! (Oкябр>(1930 г. Оя ¹ ()53, )5 «l, iåИИЕМ 1 I ((и r (1(X I(Of)t!TОР l) В! l т(. ()м0!i>i IIl Iе.lнi(0 Hfhi!) i(il ll н(< ГИИl х < "Г(но!1 li r 1)оля не lit НЯ нг. и -) I(f)(ër T;II!.!< Иы ЛВ(! IиЛогн(ВЯ I 0! Txx (, ин I r>TOJ)((x олин— Г(» 0III (1 ), Til it!i Tcf)((0(),(0h»(, ЛРУ Гои— н.l тil ii 1;к()я н110 l 0 ТН(И.! Енi И(РЯТОР-ТЕ(>5(O,II; Ч|(;(Н ИЯ II< f)11(...
105566
Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПРИБОРАМ на основе соединений AIIIBV, включающий химическую обработку, нагрев подложки, напыление металла и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества приборов, после химической обработки на подложку дополнительно осаждают слой палладия толщиной 150 - 200 и проводят термообработку при температуре 450 - 500...
865065
Способ изготовления полупроводникового инжекционного лазера
(19)SU(11)1204101(13)A1(51) МПК 6 H01S3/18(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ИНЖЕКЦИОННОГО ЛАЗЕРА Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых инжекционных лазеров для оптическ...
1204101
Полупроводниковый лазер
Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при разработке и производстве полупроводниковых источников излучения, преимущественно инжекционных лазеров. Цель изобретения - уменьшение порогового тока накачки и повышение его воспроизводимости . Цель достигается выполнением поверхности подложки под углом к кристаллографической плоскости (001). При этом положение по...
1319767
Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям a3b5 p-типа
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано для изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам, изготовленным на основе соединений A3B5 p-типа. Цель изобретения - экономия драгоценных металлов при сохранении качества омических контактов. Согласно изобретению на полупроводниковое соединение после химической обработки наносят слой в...
1321313
Вакуумный катодолюминесцентный дисплей с полевой эмиссией и способ его изготовления
Изобретение относится к индикаторной технике, точнее к вакуумным катодолюминесцентным индикаторам с полевой эмиссией. Технический результат - создание эффективного и долговечного дисплея с полевой эмиссией. В известном вакуумном катодолюминесцентном дисплее с полевой эмиссией, состоящем из двух плоских стеклянных пластин: лицевой прозрачной и с анодными сегментами, покрытыми люминофором и...
2174268
Клапан быстродействующий универсальный прямоточный кбуп
Изобретение относится к противопожарной технике и, в частности, к запорно-пусковым устройствам (ЗПУ) автоматических установок пожаротушения. Целью изобретения является повышение надежности устройства при резких колебаниях давления в магистральном трубопроводе. Поставленная цель в конструкции клапана достигается жесткой фиксацией дискового затвора штоком в закрытом положении. Сущность изоб...
2193428
Способ абразивной обработки металлооптических зеркал
Изобретение относится к оптическому приборостроению и может быть использовано для обработки прецизионных сферических поверхностей металлооптических зеркал-магнитов, входящих в состав оптических систем оптико-электронных приборов. Способ включает обработку заготовки, проведение последовательных формообразующих операций, включающих шлифование сферической поверхности инструментом с закреплен...
2223850