Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям a3b5 p-типа

Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым соединениям a3b5 p-типа

Реферат

 

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано для изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам, изготовленным на основе соединений A³B⁵ p-типа. Цель изобретения - экономия драгоценных металлов при сохранении качества омических контактов. Согласно изобретению на полупроводниковое соединение после химической обработки наносят слой ванадия, предотвращающего разложение полупроводникового соединения и по крайней мере один слой основного контактного металла алюминия или никеля. Температуру полупроводника при напылении поддерживают от 150 до 250°С. Качественный омический контакт получают и при нанесении двух слоев металлов из никеля и алюминия. 1 з. п. ф-лы.

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано для изготовления омических контактов к светодиодам, лазерным диодам, транзисторам и другим приборам на основе полупроводниковых соединений A³B⁵ p-типа. Цель изобретения экономия драгоценных металлов при сохранении качества омических контактов. П р и м е р. Арсенид галлия p-типа обрабатывали в травителе H₂SO₄ H₂O₂ H₂O с соотношением компонентов 18:1:1. На обработанную поверхность напыляли слои ванадия и никеля толщиной 0,1 мкм, при температуре подложки 150^оС. Величина удельного сопротивления полученного контакта составляла от 5 10^-6 до 1 10^-5 Ом/см. Антимонид галлия p-типа обрабатывали в травителе НСl. На обработанную поверхность напыляли слои ванадия и алюминия при температуре подложки 250^оС. Величина удельного сопротивления полученного контакта составляла от 1,8 10^-6 до 6 10^-6. Механические напряжения в полупроводнике, возникающие при формировании омических контактов, полученные при использовании изобретения, составляли 2,6 10⁵ Н/м², а радиусы кривизны полупроводника с контактом 3,0-3,2 м. Контакт согласно изобретению практически не стареет в течение 600 ч испытаний в режиме работы лазерного диода.

Формула изобретения

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ СОЕДИНЕНИЯМ A³B⁵ P-ТИПА, включающий химическую обработку полупроводника, его нагрев, напыление слоя ванадия и основного контактного металла, отличающийся тем, что, с целью экономии драгоценных металлов при сохранении качества омических контактов, в качестве основного контактного металла используют никель или алюминий и нагревают полупроводник от 150 до 250^oС. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве основного контактного металла используют двухслойную композицию из никеля и алюминия.