Минеева М.А.

 СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМ ПРИБОРАМ на основе соединений AIIIBV, включающий химическую обработку, нагрев подложки, напыление металла и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества приборов, после химической обработки на подложку дополнительно осаждают слой палладия толщиной 150 - 200 и проводят термообработку при температуре 450 - 500...

 Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и может быть использовано для изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам, изготовленным на основе соединений A3B5 p-типа. Цель изобретения - экономия драгоценных металлов при сохранении качества омических контактов. Согласно изобретению на полупроводниковое соединение после химической обработки наносят слой в...

 Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель изобретения уменьшение температурных погрешностей сейсмометра. Цель достигается следующим образом. Пластина арсенида галлия n-типа проводимости очищается способом химического травления. После очистки на его поверхность из раствора осаждается слой палладия толщиной...

 Использование: при разработке и изготовлении лазерных диодов, светодиодов и других приборов. Сущность: способ включает нанесение на полупроводниковую структуру диэлектрической пленки из двуокиси кремния, нанесение вспомогательного диэлектрического слоя, формирование локальных областей под контакты с помощью резистивной маски, нанесение контактного материала первого уровня, формирование ло...

 Сущность изобретения: кассета содержит основание с посадочными элементами, элементы фиксации и крепления волоконно-оптических элементов, насадки и корпус, в котором размещено основание. Посадочные элементы выполнены в виде желобов, расположенных в плоскостях основания под углом друг к другу, отношение глубины желоба к диаметру волоконно-оптического элемента составляет 2-3, а ширина желоба...