СУХОВ М.С.

  СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, включающий наращивание затравочного слоя поликристаллического кремния путем гетерогенного разложения моносилана при низкой температуре, прекращение подачи моносилана и доращивание пленки до требуемой толщины, отличающийся тем, что, с целью 1 улучшения однородности пленок по размеру зерна, затравочный слой наращивают толщиной 4...

  СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ - ДВУОКИСЬ КРЕМНИЯ - НИТРИД КРЕМНИЯ, включающий осаждение на расположенные в реакторе структуры кремний - двуокись кремния пленки нитрида кремния Из парогазовой смеси тетр хлорида кремния, аммиака и инертного газа при пониженном давлений, вакуумирование реактора после осаждения пленки нитрида , о тличающийся тем, что, с целью улучшения электрофиз...

  1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОПСТРУКТУР . включающий химическую обработку полупроводниковой подложки, промывку ее в деиониэованной воде, последовательное формирование в реакторе слоИзобретение относится к электронной технике, в частности к способу изготовления структур, применяемых при изготовлении МНОП-транзисторов в дискретном или интегральном исполнении. Структуры кремний-двуокись...