БЛЕЦКАН НИКОЛАЙ ИВАНОВИЧ
Изобретатель БЛЕЦКАН НИКОЛАЙ ИВАНОВИЧ является автором следующих патентов:

Нагреватель сопротивления
п11887S30 ОЛИ САНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 07.02.80 (21) 2878971/22-2G с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 07.12.81. Бюллетень ¹r 45 (45) Дата опубликования описания 07.12.81 (51) M. Кл.о С ЗОВ 15/14 Государственный комитет (53) УДК 621.315.592 (0...
887630
Способ пайки изделий
СПОСОБ ПАЙКИ ИЗДЕЛИЯ преимущественно из полупроводниковых материалов, по которому в паяемом зазоре размещают припой, производят нагрев BbDje температуры плавления припоя и выдержку соединения в неоднородном температурно 1 поле с вйведением компонентов припоя из соединения методом зонной перекристаллизации градиентом температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения качества с...
1073048
Ленточноотрезной станок
Изобретение относится к области станкостроения и предназначено для прецизионной резки слитков полупроводниковых материалов. Цель изобретения - повышение качества реза. Ленточноотрезной станок включает станину 1 с основными 2, 3 и регулировочным 4 шкивами для установки бесконечной ленточной пилы 5 и механизм регулирования положения регулировочного шкива 4 в пространстве вокруг оси...
1291309
Способ термообработки монокристаллов фосфида галлия
Изобретение относится к технологии полупроводниковых соединений, может использоваться в производстве сптоэлектронных приборов и интегральных схем, обеспечивает улучшение структурного совершенства кристалла Способ включает нагрев монокристалла до 750-800°С в атмосфере инертного газа при давлении 3- 15 атм, выдержку 60-120 мин, охлаждение и при 200-300°С снижение да...
1682416