СОЛОВЬЕВ ВАЛЕРИЙ СЕРГЕЕВИЧ
Изобретатель СОЛОВЬЕВ ВАЛЕРИЙ СЕРГЕЕВИЧ является автором следующих патентов:
Способ контроля сквозных пор в окисных и нитридных пленках на кремнии
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Соцмалмстмческмя Республнк Ф i gi К АВТОРСКОМУ СВИ ВТИЗЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свмд«ву (22) Заявлено 040480 {2f) 2890169/18-25 с присоединением заявкм Ht " (53)M. Кл.з С 01 и 15/08 Государственный комитет СССР оо делам изобретений я открытий (23) Приоритет Опубликовано 301281.Бюллетень й948 {53) УДК 539.217.1 (088.8) Датаонублм...
894486Ячейка однородной среды
COOS СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (19) (!1) (5!) 4 С 06 F 7/00 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Ф© Я) . СО 3 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3793096/24-24 (22) 24. 09. 84 (46) 15.03.86. Вл. У (72) А.Х.Киреев, А.И.Лысенков, В.С.Соловьев и Ю.В.Осипов (53) 681.3(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР N - 1092492, кл...
1218378Способ непрерывного литья биметаллических слитков и устройство для его осуществления
. 1, Способ непрёрьтного литья биметаллических слитков, включающий подачу различных металлов через погружные стаканы в кристаллизатор с образованием центральной и периферийной зон слитка и регулирование расходов обоих металлов, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества биметаллических слитков. регулирование расходов металлов при поддержании их суммарного расхода постоянны...
1271635Источник коллимированного рентгеновского излучения
Изобретение относится к области рентгенотехники и может быть использозано а рентгеновской томографии и литографии. Цель изобретения состоит в увеличении интенсивности коллимированного пучка фотонов . Источник коллимированного рентгеновского и гамма-излучения состоит из источника электронов 1 и мишени, включающей две пластины 2, 3, установленные одна за другой с зазором 4 размера...
1689818Способ получения образца кремния с косым шлифом
Использование: технология препарирования образцов в микроэлектронике. Сущность изобретения: защищают одну плоскость образца химически инертным материалом . Размещают образец в электролитической ванне параллельно линейному катоду. Проводят анодное травление образца . Время травления определяют из соотношения требуемого угла косого шлифа и размеров образца. 1 ил. СОЮЗ СОВЕТСКИХ...
1755103Система для формирования на резисте микроструктуры
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4901862/25 (22) 11.11.90 (46) 28.02.93. Бюл. М 8 (71) Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им,А.Н.Севченко Белорусского государственного университета им.В.И.Ленина. (72) Ю.И.Дудчик, Ф.Ф.Комаров, Я...
1798816Способ подготовки образца кремния для определения дефектности структуры
Назначение: изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для препарирования образцов при контроле структуры кремния. Сущность изобретения: поверхность образца подвергают обработке селективным травителем. Травление проводят путем электрохимического травления при освещении поверхности некогерентным светом. Травление проводят в две стадии. На первой ста...
1800309