PatentDB.ru — поиск по патентным документам

СОЛОВЬЕВ ВАЛЕРИЙ СЕРГЕЕВИЧ

Изобретатель СОЛОВЬЕВ ВАЛЕРИЙ СЕРГЕЕВИЧ является автором следующих патентов:

Способ контроля сквозных пор в окисных и нитридных пленках на кремнии

Способ контроля сквозных пор в окисных и нитридных пленках на кремнии

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Соцмалмстмческмя Республнк Ф i gi К АВТОРСКОМУ СВИ ВТИЗЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свмд«ву (22) Заявлено 040480 {2f) 2890169/18-25 с присоединением заявкм Ht " (53)M. Кл.з С 01 и 15/08 Государственный комитет СССР оо делам изобретений я открытий (23) Приоритет Опубликовано 301281.Бюллетень й948 {53) УДК 539.217.1 (088.8) Датаонублм...

894486

Ячейка однородной среды

Ячейка однородной среды

  COOS СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (19) (!1) (5!) 4 С 06 F 7/00 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Ф© Я) . СО 3 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3793096/24-24 (22) 24. 09. 84 (46) 15.03.86. Вл. У (72) А.Х.Киреев, А.И.Лысенков, В.С.Соловьев и Ю.В.Осипов (53) 681.3(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР N - 1092492, кл...

1218378

Способ непрерывного литья биметаллических слитков и устройство для его осуществления

Способ непрерывного литья биметаллических слитков и устройство для его осуществления

  . 1, Способ непрёрьтного литья биметаллических слитков, включающий подачу различных металлов через погружные стаканы в кристаллизатор с образованием центральной и периферийной зон слитка и регулирование расходов обоих металлов, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества биметаллических слитков. регулирование расходов металлов при поддержании их суммарного расхода постоянны...

1271635

Источник коллимированного рентгеновского излучения

Источник коллимированного рентгеновского излучения

  Изобретение относится к области рентгенотехники и может быть использозано а рентгеновской томографии и литографии. Цель изобретения состоит в увеличении интенсивности коллимированного пучка фотонов . Источник коллимированного рентгеновского и гамма-излучения состоит из источника электронов 1 и мишени, включающей две пластины 2, 3, установленные одна за другой с зазором 4 размера...

1689818

Способ получения образца кремния с косым шлифом

Способ получения образца кремния с косым шлифом

  Использование: технология препарирования образцов в микроэлектронике. Сущность изобретения: защищают одну плоскость образца химически инертным материалом . Размещают образец в электролитической ванне параллельно линейному катоду. Проводят анодное травление образца . Время травления определяют из соотношения требуемого угла косого шлифа и размеров образца. 1 ил. СОЮЗ СОВЕТСКИХ...

1755103


Система для формирования на резисте микроструктуры

Система для формирования на резисте микроструктуры

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4901862/25 (22) 11.11.90 (46) 28.02.93. Бюл. М 8 (71) Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им,А.Н.Севченко Белорусского государственного университета им.В.И.Ленина. (72) Ю.И.Дудчик, Ф.Ф.Комаров, Я...

1798816

Способ подготовки образца кремния для определения дефектности структуры

Способ подготовки образца кремния для определения дефектности структуры

  Назначение: изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для препарирования образцов при контроле структуры кремния. Сущность изобретения: поверхность образца подвергают обработке селективным травителем. Травление проводят путем электрохимического травления при освещении поверхности некогерентным светом. Травление проводят в две стадии. На первой ста...

1800309