КАССИХИН А.А.

  ВЫХОДНОЕ БУФЕРНОЕ УСТРОЙСТВО, содержащее ключевые транзисторы и нагрузочные транзисторы, стоки которых подключены к первой шине питания,затвор и исток первого нагрузочного транзистора подключены к стоку первого ключевого транзистора и к затворам второго и третьего ключевых транзисторов , истоки первого, второго и третьего ключевых транзисторов подключены к стоку четвертого ключев...

  C0IO3 СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (584 С 11 С !1/40 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР f10 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABT0PCHOMV СЕИДЕ ГЕПЬСТВУ 4 5!pp;gg r р (21) 2898940/18-24 (22) 26.03,80 (46) 15;05.88. Бюл. Р 18 (72) А.А.Кассихин и А.О.Романов (53) 681. 327. 6 (088.8) (56) Авторское свидетельство СССР У 296263, кл. Н 03 К 19/08, 1969. Пат...

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий нанесение на поверхность полупроводниковой подложки первого типа проводимости первого и второго диэлектрических слоев из двуокиси и нитрида кремния и первого слоя фоторезиста, формирование в них отверстий, легирование через отверстия примесью первого типа -проводимости приповерхностного слоя полупроводниковой подложки, удаление...