Фукс Б.И.
Изобретатель Фукс Б.И. является автором следующих патентов:
Электродная структура приемника изображения
(19)SU(11)910087(13)A1(51) МПК 5 H01L27/148(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ЭЛЕКТРОДНАЯ СТРУКТУРА ПРИЕМНИКА ИЗОБРАЖЕНИЯ Изобретение относится к устройствам преобразования изображения в видеосигнал, в частности к электродным структурам приемников изображения на приборах с з...
910087Способ определения профиля легирования полупроводника
(19)SU(11)1028203(13)A1(51) МПК 5 H01L21/66(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКА Изобретение относится к микроэлектронике и может использоваться для определения распределения компенсирующей примеси по глубине полупроводника....
1028203Аналоговый элемент памяти
(19)SU(11)1149792(13)A1(51) МПК 5 G11C27/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) АНАЛОГОВЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Изобретение относится к вычислительной технике, а более конкретно - к запоминающим устройствам для аналоговых электрических сигналов, построенным на базе МДП-структур. Цел...
1149792Устройство обработки сигналов
(19)SU(11)1294241(13)A1(51) МПК 5 H01L27/14(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) УСТРОЙСТВО ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно - к устройствам обработки сигналов на приборах с зарядовой связью (ПЗС) выполненным интегрально в одном кри...
1294241Способ определения содержания мелкозалегающей примеси в фоторезисторах
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель изобретения - обеспечение возможности определения полного содержания мелкозалегающей примеси при ее произвольном профиле распределения. Согласно изобретению на фоторезисторе измеряют дважды вольтамперную характеристику при подаче на фоторезистор напряжений...
1385935