Способ определения содержания мелкозалегающей примеси в фоторезисторах

Способ определения содержания мелкозалегающей примеси в фоторезисторах

Реферат

 

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов. Цель изобретения - обеспечение возможности определения полного содержания мелкозалегающей примеси при ее произвольном профиле распределения. Согласно изобретению на фоторезисторе измеряют дважды вольтамперную характеристику при подаче на фоторезистор напряжений смещения противоположных полярностей и определяют напряжения, соответствующие резкому возрастанию токов. Эти напряжения соответствуют напряжениям предельного заполнения ловушек. Полное содержание мелкой примеси в активной области находят расчетным путем.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых приборов для измерения полного содержания мелкозалегающей примеси в фоторезисторах, изготовленных из перекомпенсированного полупроводникового материала. Цель изобретения - обеспечение возможности определения полного содержания мелкозалегающей примеси при ее произвольном профиле распределения. П р и м е р. В полупроводниковую пластину p-типа проводимости осуществляют загонку мелкой донорной примеси и формирование фотосопротивления. В результате измерения вольтамперной характеристики (ВАХ) при одной полярности напряжения смещения определено заполнение ловушек V⁽⁺⁾ = 16,8 В. Затем проводят измерение ВАХ при другой полярности напряжения смещения и определяют напряжение предельного заполнения ловушек V^(-) = 4,14 В. По значению высокочастотной емкости С = 21 пф определяют толщину компенсированной области l = 5 10^-4см, где - диэлектрическая проницаемость полупроводника; l - толщина активной области фоторезиста; e - абсолютная величина заряда электрона. Полное содержание мелкой примеси в активной области находят по формуле М = (V⁽⁺⁾ + V^(-)) и полученное значение М = 2,310¹¹ см^-2. (56) Атомная диффузия в полупроводниках. Под ред. Д. Шоу, М. : Мир, 1975, с. 213. Ламперт М. , Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М. : Мир, 1973, с. 93.

Формула изобретения

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОДЕРЖАНИЯ МЕЛКОЗАЛЕГАЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ФОТОРЕЗИСТОРАХ , включающий измеpение вольтампеpной хаpактеpистики пpи подаче на фотоpезистоp напpяжения смещения и опpеделение по ней напpяжения, соответствующего pезкому возpастанию тока, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности опpеделения полного содеpжания мелкозалегающей пpимеси в пеpекомпенсиpованном глубокозалегающей пpимесью полупpоводнике пpи пpоизвольном пpофиле pаспpеделения мелкозалегающей пpимеси, дополнительно снимают вольтампеpную хаpактеpистику пpи подаче на фотоpезистоp напpяжения смещения пpотивоположной поляpности и опpеделяют напpяжение, соответствующее pезкому возpастанию тока, а полное содеpжание мелкозалегающей пpимеси находят по фоpмуле M = N(x)dx = (V⁽⁺⁾+V^(-)), где V⁺, V^- - напряжения, соответствующие резкому возрастанию тока на вольтамперной характеристике фоторезистора при разных полярностях напряжения смещения; N_x - локальная концентрация мелкой примеси, где x - координат точки в направлении, перпендикулярном плоскости контакта фоторезиста; l - толщина активной области фоторезистора; e - абсолютная величина заряда электрона; - диэлектрическая проницаемость полупроводника.