БАЛЮК АЛЕКСАНДР ВАСИЛЬЕВИЧ
Изобретатель БАЛЮК АЛЕКСАНДР ВАСИЛЬЕВИЧ является автором следующих патентов:

Способ пайки
QA ИСАНИ Е .ИЗОБЬЕТЕ И ИЯ (н)910378 Союз Советских Социалистических рвсяубпик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнмтельное к авт. свид-ву (22) Заявлено 040680 (21) 292á152/25.-27 с прмсоедмненмем заявым М (23) Приоритет (5! )М. Кл. В 23 К 1/ОО Вюя@9стшхыи seNNer CCCP в дами хзебретвхИ в мхрытнй (53) УДК621 ° 791. . ° 3(088.8) Опублнковано 070382. бюллетень N 9 Дата опублмко...
910378
Устройство для измерения длины ленточных материалов
О П И С А Н И Е цgiPggg(1 ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Реснубпик Ъ. К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 14. 08. 80 (21) 2973576/18-28 (31) М. КП.з с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет G 01 В 7/04 Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК 531.71 (088. 8> Опубликовано 23.05.82. Бюллетень...
929996
Способ получения кремниевой структуры
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения кремниевых структур, применяемых для изготовления дискретных приборов и интегральных схем. Цель изобретения - повышение кристаллического совершенства перекристаллизованных областей. Способ включает нанесение пленки молибдена или вольфрама на одну из поверхностей кремниевой пласт...
1578238
Способ получения эпитаксиальных слоев кремния
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев кремния зонной перекристаллизацией в поле температурного градиента. Цель изобретения - повышение структурного совершенства слоев. Способ включает формирование композиции из кремниевых пластин источника и подложки, нагрев композиции, введение в зазор между пл...
1604870
Способ получения кремниевой структуры
СОЮЗ СОВЕ 1СКИХ СОЦИАЛИСТИЯЕСКИХ РЕСПУБЛИК (я)5 С 30 В 19/02, 29/06 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4717490/26 (22) 11.07.89 (46) 23,10.91. Бюл. ¹ 39 (71) Новочеркасский политехнический институт им.Серго Орджоникидзе (72) В.П.Крыжановский, А,В.Балюк, Б,M.Середин, Л.С.Габова и Г.Т.Вахер (...
1686041