СЕМЕНОВ А.В.

  УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТБОРА ПРОБ ПРОДУКТОВ КОРРОЗИИ С МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ, содержащее пробо 2 отборные элементы, электрически соединенные с источником питания, о тличающееся тем, чтб, с це лью повышения производительности труда , техники безопасности и представительности отбираемых проб, устройство снабжено корпусом пистолетного типа, снабженным штоком с токопроводящим наконечни...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СО ЦИАЛ ИСТИЧ ЕСКИХ РЕСПУБЛИК (g и -.-Iil.- о(.; г ь непрерывно тОU!НИ(А его =,åfj(åñòâà (вводимог 1:> и Т Е Л ь, ° с1 -1 ) — л В отли-i !a от всегда применяемогA И Э1-НЫ>< ri ..Т; INf If

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ . СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (я)5 H 01 J 3/04 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Я" К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) (21) 3578044/25 (22) 28.01.83 .(46) 07.02,93. Бюл. М 5 (72) З.Ф Чайковский, В.И.Пузиков, А.В.Семенов, Н.С.Харченко и А.И.Сивка (56) Хирный Ю.И., Кочемасова Л.H. Получение пучков ионов водорода молей энерги...

  Изобретение относится к физики заряженных частиц и может быть использовано как источник частиц при легировании и ионной имплантации полупроводников и других материалов. Целью изобретения является увеличение времени непрерывной работы и повышение надежности. Источник ионов содержит анод в виде цилиндра с проточенной полостью для водяного охлаждения . В отверстие, расположенное в ц...

  Изобретение относится к получению высокотемпературных сверхпроводниковых пленочных материалов на основе металлоксидов и может быть использовано при разY-Ba-Cu-0 Super Films prepareted by 1988, работке новых устройств микроэлектроники и полупроводниковой электроники. Обеспечивает улучшение качества пленок, сокращение времени процесса и его упрощение. Способ включает подачу порошка...

  Изобретение относится к структурам на основе металл - диэлектрик - металл и может быть использовано в квантовых приборах и интегральных схемах. Целью изобретения является повышение стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок, В устройстве, содержащем два металлических электрода, слой диэлектрика между ними...

  Изобретение относится к ионно-вакуумной обработке материалов. Цель - повысить эффективность технологического оборудования . Устройство содержит подложкодержатель и источник ионов дугоплазматронного типа, размещенные в вакууме, дополнительный электрод с апертурой, установленный на оптической оси ионного пучка на расстоянии , равном 0,6-0,7 от расстояния между извлекающим электродо...