Устройство с туннельным переходом

Устройство с туннельным переходом

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к структурам на основе металл - диэлектрик - металл и может быть использовано в квантовых приборах и интегральных схемах. Целью изобретения является повышение стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок, В устройстве, содержащем два металлических электрода, слой диэлектрика между ними и защитный слой, слой диэлектрика и защитный слой представляет собой поликристаллическую алмазную пленку. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

s Н 01 1 29/88

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4352754/25 (22) 30,12.87 (46) 30,11.92, Бюл, N 44 (72) В.M. Пузиков, А.В, Семенов, В.Л. Дубоносов, А,И. Черепков, В,А. Булдовский и.

С,П. Клембек (56) Заявка Франции ¹ 2508237, кл. Н 01 L

21/316, 1982, Заявка ЕПВ № 0053912, vn. Н 01 1

21/316, 1982. (54) УСТРОЙСТВО С ТУННЕЛЬНЫМ ПЕРЕХОДОМ

Изобретение относится к приборам на основе структур металл — диэлектрик — металл с туннельным переходом, которые могут быть использованы в квантовых приборах и интегральных схемах.

Целью изобретения является повышение стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок.

На чертеже приведено устройство с туннельным переходом в разрезе.

Оно содержит слой 1 поликристаллической алмазной пленки толщиной 10 — 50 А, нижний и верхний металлические электроды 2 и 3 соответственно, подложку 4, а также пассивирующий и защитный слой 5 алмазной поликристаллической пленки, Принцип работы устройства основан на процессе туннелирования основных носителей заряда через потенциальные барьеры.

„„!Ж „„1598780А1 (57) Изобретение относится к структурам на основе металл — диэлектрик — металл и может быть использовано в квантовых приборах и интегральных схемах, Целью изобретения является повышение стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок, В устройстве, содержащем два металлических электрода, слой диэлектрика между ними и защитный слой, слой диэлектрика и защитный слой представляет собой поликристал- лическую алмазную пленку. 1 ил.

Благодаря черезвычайно низкому коэффициенту диффузии углерода в металлах, а также отсутствию легкодиффундирующих примесей в этой системе граничная область между металлическими электродами и алмазным слоем является устойчивой при тепловых воздействиях в широком диапазоне температур, а также полевых воздействиях 0© вплоть до пробойных. Это обуславливает стабильность вольт-амперных характери- Q) стик туннельных переходов, чувствитель- С) ную к состоянию граничных областей, а наличие защитного слоя из поликристаллической пленки повышает надежность работы устройств, обеспечивая стабильность электрофизических характеристик, так как покрытие структуры алмазной поликристаллической пленкой способствует улучшению теплоотвода рассеиваемой мощности на переходе.

Устройство изготавливается с использованием известного способа получения ал