H01L29/88 - туннельные диоды — все патенты категории

Полупроводниковый двухэлектродный туннельный прибор

139015

Способ уменьшения емкости туннельных диодов, основанный на уменьшении площади p-n перехода

Класс 2)g 11в2 № 148143 ссср ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Подписная группа М 97 Л. А. Логунов СПОСОБ УМЕНЬШЕНИЯ ЕМКОСТИ ТУННЕЛЬНЫХ ДИОДОВ, ОСНОВАННЫЙ НА УМЕНЬШЕНИИ ПЛОЩАДИ р-и ПЕРЕХОДА Заявлено 7 мая 1960 г. за Ке 665612/26 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Бюллетене изобретений» Ме 12 за 1962 г. Известные...

148143

Туннельный диод

ОПИСАНИЕ l7I923 ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 25.111.1964 (№ 890062/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 22Х1.1965. Бюллетень № 12 Дата опубликования описания 21 VII.1965 Кл. 21g, 11 о Государотвекный комитет ло делам изобретений и открытий СССР МПК Н Oll УД...

171923

Туннельный диод

l72404 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Сог иалистице=ких Республик Зависимое от авт. свидетельства ¹ Кл. 2 1 g, 110 3",ÿâëåíî 25.111.1963 (¹ 827247/26-25) с присоединением заявки ¹ Государотвекиый комитет по делам иаобРетений и от.,".=ь!Т-ий СССР ЧПК Н Oil УДК 621.3S2.232 (088.S) Приоритет Огубликогано 29Л 1.1955. Бюллетень ¹ 13 Дата опублнко...

172404

Полупроводниковый стабилитрон

I76 988 ОПИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства №вЂ” Заявлено 30.lll.1963 (№ 950842/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 01.Х11.1965. Бюллетень ¹ 24 Дата опубликования описания 18.1.1966 Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР МПК Н OII УДК 621.382....

176988

Способ получения ариловых эфиров р-алкокси- и р- алкилтиоэтансульфокислоты

О П И С А Н И Е ISI093 ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советских Социалистических Реслублик Зависимое от авт. свидетельства М Кл. 12о, 23/02 Заяглеио 04."т 11,1962 (№ 785072 23-4) с присоединением заявки М Приоритет IIIK С 07с Комитет по делам изобретений и открытий ори Совете Министров СССР Опубликовано 15. IV.1966, Бюллетень . с 9 УД К 547.541.11 269.1. 07 (088.8) Дата опубликования опис...

181093

Высокочастотный туннельный днод

ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 2I9567 Союз Советских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 20Л.1964 (№ 877190/26-25) gë, 21g, 11/02 с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 14.Ч1.1968, Бюллетень № 19 Дата опубликования описания 22Х111.19о8 МПК Н Oll Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР У...

219567

Туннельный диод

2I9702 Союз Советских Социалистических Республик,;|: -,схнн чесю з .пнатека М®.к Зависимое от авт. свидетельства Л " Кл. 21g, 11/02 Заявлено 06.VI I.1964 (№ 910600/26-25) с присоединением заявки № МПК H 01! УДК 621.382,232(088.8) Приоритет Опубликовано 14.VI,1968. Бюллетень ¹ 19 Дата опубликования описания ЗОХ111.1968 Комитет по делам изобретений и открытий при Соввтв Минис...

219702

Высокочастотный туннельный диод

Еое-.,:с."-; =;я О и и с А тГ т ИЗОБРЕТЕН И 263044 Союз Советских Социалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 22.1.1968 (№ 1211972/26 25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 04.11.1970. Бюллетень № Дата опубликования описания 26Х.1970 Кл. 2lg, 11/02 Комитет ло делам изобретений и открытий пои Совете Министро...

263044

Туннельный диод

Туннельный диод, содержащий области p- и n-типа, образующие p - n-переход, сформированный в эпитаксиальном n-слое, нанесенном на полупроводниковую подложку и омические контакты к p- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей диода, со стороны подложки до базовой области выполнен паз, причем в пазе, а также на эпитаксиальном слое между омическими ко...

1003701

Устройство с туннельным переходом

Изобретение относится к структурам на основе металл - диэлектрик - металл и может быть использовано в квантовых приборах и интегральных схемах. Целью изобретения является повышение стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок, В устройстве, содержащем два металлических электрода, слой диэлектрика между ними...

1598780

Датчик температуры

Использование: контрольно-измерительная , техника. Сущность изобретения: датчик температуры содержит чувствительный элемент , выполненный в виде анизотропного кристалла с плоскостью двойникования, перпендикулярной базовой области кристалла. При этом в плоскости двойникования выполнен паз, по обе стороны которого на базовой поверхности расположены электроды, образующие туннельный...

1810931

Туннельный прибор

Использование: изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например, для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре. Сущность изобретения: туннельны...

2105386

Способ изготовления туннельного прибора

Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре. Сущность: способ изготовления туннельного прибора заключается в формировании на поверхности атомарно гладкой твердотельной подложки перв...

2106041

Способ определения вида и концентрации наночастиц в неорганических аморфных средах и композитах на основе полимеров

Способ определения вида и концентрации наночастиц в неорганических аморфных средах и композитах на основе полимеров может найти применение в электронике, радиотехнике, природоохранной, химической и нефтяной отраслях для контроля качества проведения технологических процессов и качества готовой продукции, например, при создании полимерных нанокомпозитов, функциональных электронных и радиотехническ...

2548395

Вакуумный туннельный диод (втд)

Изобретение относится к области вакуумных туннельных диодов (ВТД). Одним из основных применений изобретения является создание высокоэффективных преобразователей тепловой энергии в электроэнергию или электрической энергии в холод или тепло. Сущность изобретения: ВТД состоит из эмиттера и коллектора, разделенных вакуумным зазором шириной 0,3-1,5 нм. Эмиттер представляет собой упругую электропроводящ...

2657315

H01L29/88 - туннельные диоды

Патенты в этой категории