Высокочастотный туннельный днод

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2I9567

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 20Л.1964 (№ 877190/26-25) gë, 21g, 11/02 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 14.Ч1.1968, Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 22Х111.19о8

МПК Н Oll

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК

Лвторьу изобретенйя

С. Г. Мадонн и А, М. Зубков

Заявитель т1редприятйе Государственного комитета по электронной технике СССР

ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТУННЕЛЪНЪ|Й ДИОД

Предмет изобретения

Известны туннельные диоды на основе моноили поликристаллического арсенида галлия, легированного цинком, с вплавным p — ппереходом, созданным вплавлением олова.

Недостаток изливеcTHbIx T) ííåëüíûõ диодов при работе в таком режиме, когда рабочая точка периодически или длительное время находится на диффузионной ветви вольтамперной характеристики, заключается в том, что величина максимального туннельного тока диода непрерывно уменьшается, что приводит к невозможности создания высокочастотных приборов.

Предлагаемый туннельный диод на основе арсенида галлия отличается от известных диодов тем, что в электродный материал-олово, служащий для создания р — n-перехода прибора, добавлено от 5 до 15% индия.

Предлагаемый туннельный диод, р — и-переход которого выполнен вплавлением сплава олово — индий, содержащего 5 — 15% индия, обладает много большей стабильностью туннельного тока, а также большим частотным пределом.

Согласно изобретению р — и-переход туннельного диода создан вплавлением в моноили поликристаллический арсенид галлия олова, содержащего от 5 до 15% индия.

Высокочастотный T) ííåëbíûé диод на основе моно- или поликристаллического арсенида

15 галлия, легированного цинком, р — и-переход которого создан вплавлением олова, отличаюитийся тем, что, с целью увеличения стабильности туннельного тока и увеличения частотного предела диода, в олово добавлено от 5

20 до 15с/с индия.