Высокочастотный туннельный днод
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОПИСАН И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
2I9567
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 20Л.1964 (№ 877190/26-25) gë, 21g, 11/02 с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 14.Ч1.1968, Бюллетень № 19
Дата опубликования описания 22Х111.19о8
МПК Н Oll
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК
Лвторьу изобретенйя
С. Г. Мадонн и А, М. Зубков
Заявитель т1редприятйе Государственного комитета по электронной технике СССР
ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТУННЕЛЪНЪ|Й ДИОД
Предмет изобретения
Известны туннельные диоды на основе моноили поликристаллического арсенида галлия, легированного цинком, с вплавным p — ппереходом, созданным вплавлением олова.
Недостаток изливеcTHbIx T) ííåëüíûõ диодов при работе в таком режиме, когда рабочая точка периодически или длительное время находится на диффузионной ветви вольтамперной характеристики, заключается в том, что величина максимального туннельного тока диода непрерывно уменьшается, что приводит к невозможности создания высокочастотных приборов.
Предлагаемый туннельный диод на основе арсенида галлия отличается от известных диодов тем, что в электродный материал-олово, служащий для создания р — n-перехода прибора, добавлено от 5 до 15% индия.
Предлагаемый туннельный диод, р — и-переход которого выполнен вплавлением сплава олово — индий, содержащего 5 — 15% индия, обладает много большей стабильностью туннельного тока, а также большим частотным пределом.
Согласно изобретению р — и-переход туннельного диода создан вплавлением в моноили поликристаллический арсенид галлия олова, содержащего от 5 до 15% индия.
Высокочастотный T) ííåëbíûé диод на основе моно- или поликристаллического арсенида
15 галлия, легированного цинком, р — и-переход которого создан вплавлением олова, отличаюитийся тем, что, с целью увеличения стабильности туннельного тока и увеличения частотного предела диода, в олово добавлено от 5
20 до 15с/с индия.