Туннельный диод
Иллюстрации
Реферат
2I9702
Союз Советских
Социалистических
Республик,;|: -,схнн чесю з .пнатека М®.к
Зависимое от авт. свидетельства Л "
Кл. 21g, 11/02
Заявлено 06.VI I.1964 (№ 910600/26-25) с присоединением заявки №
МПК H 01!
УДК 621.382,232(088.8) Приоритет
Опубликовано 14.VI,1968. Бюллетень ¹ 19
Дата опубликования описания ЗОХ111.1968
Комитет по делам изобретений и открытий при Соввтв Министров
СССР
Авторы изобретения
Л. М. Зубков и С. Г. Мадоян
Заявитель
ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД
Предмет изобретения
Туннельный диод на основе арсенида галлия р-типа проводимости, от.шbQlonzlzHcл тем, что, с цель1о уменьшения ширины запрещенной зоны материала, образующего область и-типа проводимости, и повышения стабильности параметров прибора, зона и-типа проводи . oñòn диода выполнена из соединения типа
Ga<,,> In„As.
Известны туннельные диоды, выполненные на основе сильно легированного арсенида галлия р-типа проводимости, в которых в качестве электродного материала, образующего область а-типа проводимости, служит, например, сплав олова с индием.
Известные туннельные диоды имеют недостатсчно стабильные параметры, при рабо1е на диффузионном участке вольтамперной ха- 10 рактеристики они быстро меняют характеристики.
Предложенный туннельный диод, выполненный на основе арсенида галлия р-типа проводимости, легирова.нного цинком, отличается от известных тем, что зона и-типа проводимости
его образована соединением типа Ga >,1 in, As, ширина запрещенной зоны которого меньше, чем у арсенида галлия.
Таким образом, благодаря этому уменьшается ширина запрещенной зоны материала, образующего область и-типа проводимости, и значительно повышается стабильность и"-.ðûметров приборов.