Высокочастотный туннельный диод
Иллюстрации
Реферат
Еое-.,:с."-; =;я
О и и с А тГ т
ИЗОБРЕТЕН И 263044
Союз Советских
Социалистических
Республик
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 22.1.1968 (№ 1211972/26 25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 04.11.1970. Бюллетень №
Дата опубликования описания 26Х.1970
Кл. 2lg, 11/02
Комитет ло делам изобретений и открытий пои Совете Министров
СССР
МПК Н 011
УДК 621.382.2 (088.8) Авторы изобретен,ия
П. Б. Константинов н В. И. Шапиро
Заявитель
ВЫСОКОЧАСТОТНЫИ ТУННЕЛЬНЫИ ДИОД
Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов с отрицательным сопротивлением.
Известны высокочастотные туннельные диоды, например, типа 1И102 5КК3.362.048 ТУ, у которых концентрация в р-сбла-ти р-п-перехода значительно превышает концентрацию носителей в п-области. Недостатком приборов такого типа является высокий коэффициент шум а.
Цель настоящего изобретения — создание
CBI1-туннельного диода с уменьшенным коэффициентом шума.
Сущность изобретения заключается в том. что при фиксированном значении приведенной
/n -1- р 1 т, з концентрации (), где
np ) и — концентрация донсрной примеси; р — концентрация акцепторной примеси, определяющей величину предельной частоты прибора, соотношение концентраций п и р изменяют таким образом, чтобы величина отриII,àòåëüíîãо сопротивления, а следовательно, и шумы диода уменьшались.
Форма вольтамперной характеристики, а следовательно, и величина отрицательного сопротивления диода зависят от величины вы,рождения с п и р стороны. Так как зависимость от концентрации положения уровня
Ферми для вырожденното материала п-типа более слабая, чем для материала р-типа, то, изготавливая туннельный диод с концентрацией fl-примеси, равной концентрации р-при5 меси или превышающей ее,,можно уменьшить отрицательное сопротивление диода и его,шумы, не меняя частотного предела диода.
Высокочастотный туннельный диод представляет собой .полупроводниковый прибор с
10 концентрацией легирующих примесей 10»вЂ”
10» ат/с,из, причем концентрация примеси в п-области близка к концентрации примеси в исходном материале р-типа или превышает ее.
Такого соотношения концентраций достигаюг
15 применением предельно низких температур вплавления, при которых исходный полупроводник еще растворяется в электродном материале, и высоких скоростей охлаждения при получении туннельного р-п-перехода.
Предмет изобретения
Высокочастотный туннельный диод, имеющий концентрацию легирующих примесей в вырожденных р и и областях 10» — 10- 1 ат/см, 25 отличающийся тем, что, с целью улучшения его шумовых характеристик при неизменном значении предельной частоты, концентрация примеси п-области близка к концентрации примеси в р-области или превышает ее.