Полупроводниковый стабилитрон
Иллюстрации
Реферат
I76 988
ОПИСАН ИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”
Заявлено 30.lll.1963 (№ 950842/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 01.Х11.1965. Бюллетень ¹ 24
Дата опубликования описания 18.1.1966
Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР
МПК Н OII
УДК 621.382.233. (088.8) Авторы изобретения
И. В. Грехов, В. Е. Челноков и В. Б. Шуман
Заявитель
ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|й СТАБИЛИТРОН
1!одписная группа № 97
Известны полупроводниковые стабилитроны, выполненные в виде n — р — n-структур с температурной компенсацией, конструкция которых ограничивает их мощность.
Предложенный полупроводниковый стабилитрон отличается от известных тем, что в коллекторном переходе триодной структуры типа n — p — n создан стабилитронный участок одного с базой типа проводимости, площадь которого и напряжение пробоя меньше площади и напряжения пробоя всего коллекторного перехсда. Этот участок расположен на меньшей глубине от поверхности структуры со сто роны коллектора, чем весь коллекторный переходд.
В результате этого значительно повышается мощность полупроводниковых стабилитронов.
На чертеже схематически изображен предложенный стабилитрон.
Он представляет собой мощный полупроводниковый триод типа п — р — и с эмиттерным переходом 1 и диффузионным коллекторным переходом 2. В коллекторном переходе имеется участок 8 одного с базой типа проводимости малой площади со значительно меньшей глубиной перехода и меньшим напряжением пробоя, чем весь переход 2.
Стабилитронный участок 8 коллекторного перехода может быть рассчитан на малые токи и выполнен с малой площадью, в то время как общий ток через стабилитрон будет достаточно большим. Допускаемая мощность стабилитрона в этом случае определяется мощностью рассеивания триода.
Предмет изобретения
Полупроводниковый стабилитрон, выполненный в виде триодной структуры типа n— — p — и, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности прибора, в коллекторном переходе структуры создан стабилитронный участок одного с базой типа проводимости, площадь которого и напряжение пробоя меньше площади и напряжения пробоя всего коллекторного перехода и который расположен на меньшей глубине от погерхности структуры со стороны коллектора, чем весь коллекторный
25 переход.
176988
Составитель Т. Петрикова
Редактор Н. Джарагетти Тсхрсд Л. Л. Камышникова Корректоры; T. В. Муллина и Г. П. Зимина
Заказ 3790 9 Тираж 1575 Формат бум, ВО> 90 780бъем О,1 изд.,л. Цена 5 коп.
ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений н открытий СССР
Москва, Центр, пр. Серова, д. 4
Типографии, пр. Сапунова, 2