ДМИТРИЕВА ТАМАРА ВАСИЛЬЕВНА

  Г.Е.Либо, Б.Г.Захаров и Т.В Дмитриева (72) Авторы изобретеьия (71) Заявителв (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ТВЕРДЫХ МАТЕРИАЛОВ! Изобретение относится к обработке твердых материалов, в частности к алмазно-абразивной обработке полупроводниковых пластин. Известен способ шлифовки твердых хрупких материалов свободным. абразивом.Шлифованная поверхность имеет равномерно-матовую фактуру, образ...

  СОСТАВ ДЛЯ ПОЛИРОВАНИЯ 1ЮЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащий золь двуокиси кремния, о т л ич ающийс .я тем, что., с целью улучшения качества полированной поверхности арсенида галлия, фосфида галлия, германия и повышения проиэводи«гельност процесса полирования, он дополнительно содержит соль аммония , выбранную из группы; карбанат аммония, фторид аммония, хлорид аммония, окисли...

  Изобретение относится к композиционным полировальным составам, применяемым для химико-механического полирования полупроводниковых подложек, в частности из монокристаллического кремния. Изобретение позволяет увеличить скорость полирования полупроводниковых подложек за счет использования состава, содержащего, мас.%: цеолит (алюмосиликат натрия) 9,0 - 11,0, моноэтаноламин 2,3 - 2,9,...

  Сущность изобретения: определяют отношение оптической плотности полосы поглощения при 545 к оптической плотности полосы поглощения внутреннего стандарта в области 450-480 и используют образец цеолита в виде суспензии в вазелиновом масле. 3 ил., 1 табп. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (siis G 01 N 1/10, G 01 .33/30 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИ...