Суспензия для химико-механического полирования полупроводниковых подложек

Суспензия для химико-механического полирования полупроводниковых подложек

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение относится к композиционным полировальным составам, применяемым для химико-механического полирования полупроводниковых подложек, в частности из монокристаллического кремния. Изобретение позволяет увеличить скорость полирования полупроводниковых подложек за счет использования состава, содержащего, мас.%: цеолит (алюмосиликат натрия) 9,0 - 11,0, моноэтаноламин 2,3 - 2,9, глицерин 5,0 - 10,0 и деионизованную воду - остальное. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

„.SU, 1565867 А 1 щ) С 09 С 1/02

l !

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ и А ВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Суспензия для химико-механического полирования полупроводниковых подложек, содержащая абразив и деионизованную воду, о т л и ч à ю щ а я с я, тем, что с целью увеличения скорости полирования, она в качестве абразива содержит цеолит и дополнительно моноэтаноламин и глицерин при следующем соотношении компонентов, мас.3:

Цеолит 9,0-11,0

Моноэта нола ми н 2 3-2,9

Глицерин 5010,0

Деионизова нная вода Остальное

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

l1PH ГКНТ СССР (21) 4293740/23-05 (22) 03.08.87 (46) 23 .05.90.. Вюл ° 8 19 (72), И.М. Яцик, В.Ф. Марченко и Т.В. Дмитриева (53) 621.921(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР 636243, кл. С 09 G 1/02, 1978. (54) СУСПЕНЗИЯ ДЛЯ ХИМИКО-МЕХАНИЧЕС- .

КОГО ПОЛИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ПОДЛОЖЕК (57) Изобретение относится к компози° Изобретение относится к композиционным полировальным составам, применяемым для химико-механического по" лирова ния полупроводни ковых подложек, в частности, из монокристаллического кремния °

Цель изобретения - увеличение ско" рости полирования полупроводниковых подложе к.

П р и и е р 1. В емкость с 761 г деионизованной воды добавляют 110 r цеолита (алюмос или ката натрия ) и

100 г глицерина, перемеши ва ют. В полученную композицию порциями вносят

29 г моноэтаноламина и после тщательного перемешивания применяют для эффективного полирования кремниевых пластин после полирования алмазными пастами АСМ 3/2,. АСМ 2/1.

Пример 2. В емкость с 799 r деионизованной воды вносят 100 г цеолита и 75 r глицерина, перемешивают. К полученной композиции порци ями добавляют 26 г моноэтаноламина. ционным полировальным составам, применяемым для химико-механического полирования полупроводниковых подложек, в частности, из монокристаллического кремния. Изобретение позволяет увеличить скорость полирования полупроводниковых подложек за счет использования состава, содержащего, мас.4: цеолит (алюмосиликат натрия)

9, 0-11, 0 моноэта нола мин 2, 3-2, 9 глицерин 5, 0-10, О, и деи они зова.нная вода остальное. 1 табл.

Перемешивают и используют для оконе чательного полирования кремниевых пластин после полирования пастами

АСМ 2/1, АСМ 1/О.

Аналогично приготавливается суспензия по примеру .3 (таблица) . формула изобретения

1565867

Состав суспензии, мас.3 Пример рН суспензии

Скорость полирования, мкм/мин

Параметр шероховатости R, мкм

Ионоэтанолами н

Глице- Рода дерин ионизова нная

Цеолит

9,0

10,8

О, 032-0, 025

11 2

11,5

О, 032-0, 025

О, 032-0, 025

0,08"0,66

Сос raвитель И. Гинзбург

Техред Г1. Ходаншч Корректор 0 ° Кра вдова

Редактор Н. Яцола

За ка з 1198 Тираж 570 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР !

13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r.Ужгород, ул.Гагарина, 101

2 10,0

3 11,0

Извест ныйй

2,3

2,6 7,5

2 9 10,0

83,7

79,9

76,1

0,81

0,83

0 90