ВИШНЕВСКАЯ ЛИДИЯ ВАСИЛЬЕВНА

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ нн947113 Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 29.04.80 (21) 2919523/29-33 с присоединением заявки Ah (23) Приоритет Опубликовано 30.07.82. Бюллетень РЙ 28 (51)М. Кл. С 03 С 23/00 Воуааретеапак комитет СССР йо делам изобретеиий и открытий (53) УДК 666.1 ° .0 5(0 88. 8) Д...

  О П И С А Н И Е (, !002263 ИЗОБРЕТЕН Ия Союз Советсинк Соцналнстнчесннк Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l ) Дополнительное к авт. свив-ву(22)Заявлено 07.09.81 (2l) 33517"6/29-33 с присоединением заявки М (23) ПриоритетОпубликовано 07.03 ° 83 ° Бюллетень Рй 9 р))м. кд. С 03 С 23/00 уаарствекяыа .СССР (53) УдК 66Ь.1. .0 088.8 Ilo млам кзебретеккк и еткрытнй Дата опубли...

  Изобретение относится к технологии обработки оптических деталей с высокоточными асферическими поверхностями . С целью повьппения производительности при получении асферичности более 30 мкм способ получения асферической поверхности включает разбивку поверхности оптической детали на зоны, число которых М , где А - асферичность, - рабочая длина волны,Z - целое число, большее 1, обраб...

  Изобретение касается технологии изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано для изготовления интегрально-оптических элементов ввода-вывода излучения и дифракционных решеток. Цель изобретения - повышение качества решетки путем увеличения отношения глубины штриха к периоду этой решетки. На поверхности образца из арсенида галлия методом фотолитографии предварите...