Способ изготовления дифракционной решетки

Способ изготовления дифракционной решетки

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Изобретение касается технологии изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано для изготовления интегрально-оптических элементов ввода-вывода излучения и дифракционных решеток. Цель изобретения - повышение качества решетки путем увеличения отношения глубины штриха к периоду этой решетки. На поверхности образца из арсенида галлия методом фотолитографии предварительно формируют защитную маску из двуокиси алюминия, после чего образец подвергают иокиохнмичесьому травлению в газовой смеси, состоящей из 95+0,5 об.% ксенона и 5± .+ 0,5 об.% паров воды с энергией ионов 1-1,5 кэВ и плотностью ионного (тока 1-2 мА/смг. с 58 (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (Sl)S Н 01 Ь 21/467

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСН0МУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЧКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 3935183/63 (22) 22.07.85 (46) 23.02.91. Бюл. М 7 (72) Л.В.Вишневская, В.А.Лысенко и A.Ô.Ïåðâåån (53) 621.382 (088 .8) (56) Горячев Д.Н. и др. Расщепление спектра поверхностных поляритонов голографической решеткой. — Поверхность. Физика, химия, механика, 1984, N 2, с ° 44-47.

Nakamura N. et al. GaAs-GaA1As

double-hetегоstructure injection

lasers with- distributed feedback.

IEEE Journal of Quantum Еlectronics, 1975, v, QE-11, Р 7, р. 436. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКЦИОН . НОИ РЕШЕТКИ

Изобретение относится к технологии, изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано для изготовления интегрально-оптических элементов ввода-вывода излучения и дифракционных решеток.

Целью изобретения является повышение качества решетки путем увеличения отношения глубины штриха к периоду этой решетки.

Для изготовления дифракционной решетки на поверхности образца из арсенида галлия методом фотолитографии предварительно формируют защитную маску из двуокиси алюминия, после этого образец подвергают ионнохимическому травлению в газовой смеси, „„SU„„1629930 А 1 (57) Изобретение касается технологии изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано для изготовления интегрально-оптических элементов ввода-вывода излучения и дифракционных решеток. Цель изобретения — повышение качества решетки путем увеличения отношения глубины штриха к периоду этой решетки. На поверхности образца из арсенида галлия методом фотолитографии предварительно формируют защитную маску из двуокиси алюминия, после чего образец подвергают ионнохимическому травлению в газовой смеси, состоя. щей из 95+0,5 об.7. ксенона и 5

+0 5 об.К паров воды с энергией ионов 1-1,5 кэВ и плотностью ионного

; тока 1-2 мА/см . состоящей из 95+0,5 об.X ксенона и

5+0 5 об,X паров воды при энергии ионов 1-1,5 кэВ и плотности ионного тока 1-2 мА/см . Использование водородсодержащей газовой смеси приводит к образованию легколетучих гидридов мышьяка, которые легко удаляются из зоны реакции. Галлий удаляется за счет физического распыления массивными ионами ксенона. Наличие в плазме разряда кислорода способствует резкому снижению скорости распыления маски из двуокиси алюминия. Таким образом, в смеси, содержащей пары воды и ксенон, происходит одновре менное увеличение скорости распыления арсенида галлия и снижение скорости

3 1629930 4

/ распыления маски, что повышает селек- методом фотолитографии, о т л и— тивность травления и позволяет изго- ч а ю шийся тем, что, с целью тавливать дифракционные решетки с повышения качества решетки путем глубиной штрихов более 5 мкм. увеличения отношения глубины штриха к периоду этой решетки, маску формируФор мула и з о бр ет ения ютиздвуокиси алюминия, при этом проводят ионнохимическое травление

Способ изготовления дифракционной через эту маску в газовой смеси, решетки на поверхности пластины из 10 содержащей 94,5-95,5 o6.X ксенона арсенида галлия, включающий ионное и 4,5-5,5 об.Х паров воды при энертравление штрихов на этой поверхнос- гни ионов 1-1,5 кэВ и плотности ионти с использованием маски, полученной ного тока 1-2 мЛ/см ..

Составитель В.Каминский

Редактор В.Бугренкова Техред А,Кравчук Корректор О.Кравцова с—

Заказ 440 Тираж 363 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101