H01L21/467 - с использованием масок — все патенты категории

Способ изготовления дифракционной решетки

Изобретение касается технологии изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано для изготовления интегрально-оптических элементов ввода-вывода излучения и дифракционных решеток. Цель изобретения - повышение качества решетки путем увеличения отношения глубины штриха к периоду этой решетки. На поверхности образца из арсенида галлия методом фотолитографии предварите...

1629930

Способ локального травления подложек из твердых растворов теллурида свинца-теллурида олова

Использование: микроэлектроника, локальное плазмохимическое травление твердых растворов PbSnFe. Сущность изобретения: локальное плазмохимическое травление твердых растворов теллурида свинца-теллурида олова проводят в смеси метана с аргоном при их соотношении 1 : (1 - 3), при общем давлении 1 - 10 Па, удельной мощности разряда 0,1 - 0,5 Вт/см2. Образец позволяет исключить подтравливание по...

1814451

Формирование маски для травления алмазных пленок

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что маска из диэлектрика или металла изготавливается до роста алмазной пленки на подложке с ровной поверхностью, обеспечивающей субмикронные размеры маски, с последующим формированием на маске алмазной пленки и вскрытием окна со стороны подложки, что обеспечивает доступ со стороны подложки...

2557360

H01L21/467 - с использованием масок

Патенты в этой категории