ГРИЩУК Г.И.

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий операции формирования на полупроводниковой подложке маскирующего диэлектрического покрытия, вскрытия окон в нем, формирования базовой области с маскирующим диэлектрическим покрытием, вскрытия окон в последнем покрытием, вскрытия окон в последнем покрытии, формирования эмиттерной области с диэлектрическим пок...

  СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК (19) (И1 (S1)5 С 30 В 25 08 ОПИСАНИЕ ИЭОБРЕТЕНИЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОбРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (46) 15.07.93. Бюл. 1 26 (21) 4023121/26 (22) 11.02,86 (72) В.Н.Глущенко, К.И.Гордиенко, Г.И.Грищук, В.А.Жариков и В.ф.Колесников (56) Бургер P., Донован P. Основы технологии кремниевых интегральны...