ВАСЕВ ЕВГЕНИЙ НИКОЛАЕВИЧ

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (958993,ф (61) Дополнительное к авт. свид-ву— 151)М Nn з (22) Заявлено18.06. 80 (21)2940214/18-21 С 61 К 33/12 с присоединением заявки ¹â€” Государственный комитет СССР по делам. изобретений. и открытий (23) Приоритет Опубликовано15. 09. 82Бюллетень,¹ 34 153 УДК621. 317. .44(088,8)...

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ИЗМЕНЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ СВЧ-ДВУХЛОЛЮСНИКА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ШШУЛЬСА ДЕСТАБИЛИЗИРУЮЩЕГО ФАКТОРА,- включающий возбуждение волны в волноводе, к выходу которого подсоединен исследуемьм СВЧ-двухполюсник, измерение распределения напря яения в волноводе.с помощью зонда воздействие на СВЧ-двухполюсника импульсом дестабилизирующегофактора,- измерение изменившегося распределе...

  Изобретение позволяет повысить точность измерений быстропротекающих процессов. Спектральный прибор состоит из входной щели 1, коллиматорного и камерного объективов 2 и 4, диспергирующего элемента 3, плоского сканирующего зеркала 5, двух выходных щелей 6 и двух фотоприемников 7. Диспергированный световой пучок, отразившись от плоского сканирующего зеркала 5, совершающего колебател...

  Изобретение относится к способам определения параметров материалов при их деформации. Цель изобретения - расширение информативности способа испытания образцов на сжатие. На испытуемый образец с помощью контактов 4,5 одновременно подают постоянное напряжение источника 1 постоянного напряжения и от генератора 7 через разделительную емкость 8 - переменное напряжение и в процессе сжа...

  Изобретение относится к способам понижения оптической плотности изделий оптики и может быть использовано для изготовления оптических элементов из кристаллов дигидрофосфата калия и его дейтерированных аналогов, в частности для изготовления удвоителей и утроителей частоты лазерного излучения. Цель изобретения - увеличение пропускания и выхода годных оптических элементов из кристалл...

  Использование: в оптике анизотропных сред при создании лазерных сред на основе центров окраски в ЩГК для лазеров с перестраиваемой длиной волны светового излучения . Сущность изобретения: облученные гамма-квантами до доз 107-108 Р монокристаллы LIF постадийно отжигают при температурах 280-290°С, 300-310°С, 146-155°С с выдержкой не более 2-3 мин и скоростью...

  Изобретение может быть использовано при изучении кинетики микровдавливания индентора в образцы материалов с целью получения кинетических характеристик этого процесса. Способ заключается в том, что в процессе вдавливания индентора в поверхность образца периодически на 3-5 с разгружают индентор и фиксируют высоту его подъема из образца, причем после каждой разгрузки снова вдавливаю...

  Использование: в области исследования точечных дефектов в кристалле хлорида свинца. Способ включает механическую обработку кристалла по направлению распространения светового потока до заданной толщины и облучение их световым потоком УФ-части спектра до флюенса (3,8 ±0,7) 105 Эрг/мм2. Пропускание в области УФ спектра (180-300) нм увеличено на 10-15%. Уменьшены потери области при и...

  Использование: при выращивании кристаллов КДР и ДКДР с пониженным оптическим поглощением в УФ-области спектра и уменьшенным объемом дефектной призат-. равочной области. Сущность изобретения: в процессе роста кристаллов затравку колеблют параллельно ее оси Z с амплитудой (50- 90)±10 мкм и частотой ()±20 Гц. Это позволяет уменьшить оптическую плотность кристаллов в диапазоне 200-30...