ЭННС В.И.
Изобретатель ЭННС В.И. является автором следующих патентов:

Матричный накопитель для запоминающего устройства
МАТРИЧНЫЙ НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАМЦЕГО УСТРОЙСТВА, содержащий полупроводниковую подложку, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные шины, на поверхности полупроводниковой подложки расположен первый диэлектрический слой с отверстиями , на котором перпендикулярно циффузионным шинам расположены металлические шины, на поверхности металлических шин и первого диэлектриче...
959561