Ерков В.Г.

 Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные шины второго типа проводимости; на поверхности полупроводниковой подложки и диффузионных шин расположен первый диэлектрический слой, адресные поликремниевые шины, расположенные перпендикулярно разрядным пол...