Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства

Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства

Реферат

Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные шины второго типа проводимости; на поверхности полупроводниковой подложки и диффузионных шин расположен первый диэлектрический слой, адресные поликремниевые шины, расположенные перпендикулярно разрядным поликремниевым и диффузионным шинам, поликремниевые электроды, второй, третий и четвертый диэлектрические слои, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции, на первом диэлектрическом слое расположены поликремниевые электроды, на поверхности которых размещен второй диэлектрический слой, на котором над поликремниевыми электродами с перекрытием их расположены разрядные поликремниевые шины, на поверхности и торцах которых, торцах поликремниевых электродов и поверхности первого диэлектрического слоя над одними диффузионными шинами расположен третий диэлектрический слой, на поверхности третьего диэлектрического слоя, торцах разрядных поликремниевых шин и поликремниевых электродов, поверхности первого диэлектрического слоя над другими диффузионными шинами расположен четвертый диэлектрический слой, на котором размещены адресные поликремниевые шины, перекрывая торцы поликремниевых электродов и разрядных поликремниевых шин.