Колосанов В.А.

 Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в противоположном слое которой расположены истоковые и стоковые области второго типа проводимости, плавающий и управляющий затворы, изолированные друг от друга и от полупроводниковой подложки диэлектрическими слоями и перекрывающие края истоковых и стоковых областей, отличающийся тем, что, с целью повышения н...

 Матричный накопитель для постоянного запоминающего устройства, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в приповерхностном слое которой расположены диффузионные шины второго типа проводимости; на поверхности полупроводниковой подложки и диффузионных шин расположен первый диэлектрический слой, адресные поликремниевые шины, расположенные перпендикулярно разрядным пол...