Элемент памяти
Реферат
Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в противоположном слое которой расположены истоковые и стоковые области второго типа проводимости, плавающий и управляющий затворы, изолированные друг от друга и от полупроводниковой подложки диэлектрическими слоями и перекрывающие края истоковых и стоковых областей, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти, он содержит высокоомный слой полупроводника, отделяющий стоковую область от полупроводниковой подложки.