Синица С.П.

 Полупроводниковый элемент памяти, выполненный на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник, диэлектрик которой состоит из слоев двуокиси кремния и нитрида кремния, причем окись кремния обеспечивает туннельное прохождение электронов, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона времени хранения информации, между двумя диэлектрическими слоями расположен островковый слой провод...

 Элемент памяти, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, в противоположном слое которой расположены истоковые и стоковые области второго типа проводимости, плавающий и управляющий затворы, изолированные друг от друга и от полупроводниковой подложки диэлектрическими слоями и перекрывающие края истоковых и стоковых областей, отличающийся тем, что, с целью повышения н...

 Способ изготовления элемента памяти, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки первого типа проводимости первого слоя двуокиси кремния с отверстиями, формирование первой и второй диффузионных областей второго типа проводимости, формирование второго слоя двуокиси кремния с отверстием, расположенного на поверхности полупроводниковой подложки, формирование на поверхно...